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Infineon IMBF170R650M1XTMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IMBF170R650M1XTMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
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主營產(chǎn)品：
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Infineon IMBF170R650M1XTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon coolsic ? 1700 v 、 650 mΩ sic mosfet 采用 6-263-7 高爬電距離封裝，經(jīng)優(yōu)化可用于連接到直流鏈路電壓 600 v 到 1000 v 的輔助電源，適用于多種電源應(yīng)用。

針對(duì)回彈拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化
極低切換損耗
12 v / 0 v 柵 - 源電壓與回飛控制器兼容
完全可控的 dv/dt 、用于 emi 優(yōu)化
smd 封裝、具有增強(qiáng)的爬電距離和間隙距離、 > 7 mm


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 7.4 A
最大漏源電壓 1700 V
封裝類型 TO-263-7
安裝類型 表面安裝器件
引腳數(shù)目 7
最大漏源電阻值 650 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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