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此 Infineon mosfet 具有高電流容量、開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗最低的優(yōu)點、可實現(xiàn)最高的熱效率。它經(jīng)過 100% 雪崩測試。
它無鉛
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 30 A |
最大漏源電壓 | 55 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.013. Ω |
最大柵閾值電壓 | 2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |