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訂 貨 號(hào):IPB60R055CFD7ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封裝,特別適用于高功率開關(guān)電源中的諧振拓?fù)洌绶?wù)器、電信和 ev 充電站,在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續(xù)產(chǎn)品、它與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關(guān)閉行為和高達(dá) 69% 的反向恢復(fù)電荷。
超快主體二極管
同類杰出的反向恢復(fù)充電( qrr )
改進(jìn)了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同類杰出的 rds (接通) / 封裝
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 38 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 55 米Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |