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Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPB60R055CFD7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Infineon IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封裝,特別適用于高功率開關(guān)電源中的諧振拓?fù)洌绶?wù)器、電信和 ev 充電站,在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續(xù)產(chǎn)品、它與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關(guān)閉行為和高達(dá) 69% 的反向恢復(fù)電荷。

超快主體二極管
同類杰出的反向恢復(fù)充電( qrr )
改進(jìn)了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅(jiān)固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同類杰出的 rds (接通) / 封裝


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 38 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 55 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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