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Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能，可靠性和易用性的獨特組合。它適用于高溫和惡劣操作，可實現(xiàn)最高效的簡化和經(jīng)濟部署。MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可減少對柵極電路的寄生源電感效應(yīng)，實現(xiàn)更快的切換和更高的效率。

低電容
優(yōu)化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動程序一起使用