該款兼具有 powerpak 8 x 8L 封裝類型的兼放電電流 375 a Vishay 汽車 n 溝道 40 v （ d-s ） 175 °c mosfet 。
trench場 效應第四代功率 mosfet
符合 AEC-Q101
經過 100% rg 和 uis 測試
1.6 mm 薄型封裝
極低熱阻
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 375 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | Powerpak 8 x 8L |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0013. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 2 → 3.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
