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產(chǎn)品分類(lèi)
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Infineon BSC0910NDIATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):BSC0910NDIATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話(huà):
手 機(jī):
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通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Infineon BSC0910NDIATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 系列產(chǎn)品采用高性能封裝、可應(yīng)對(duì)最具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用、在有限空間內(nèi)提供完全的靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。雙 n 溝道最佳 mos 功率為 IEC61249 2-21 、無(wú)鉛引線(xiàn)電鍍、無(wú)鹵素 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

單片集成肖特基二極管
專(zhuān)為高性能降壓轉(zhuǎn)換器而優(yōu)化
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)漏極電流 40 A
最大漏源電壓 25 V
封裝類(lèi)型 Pg/tison-8.
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.0059 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
每片芯片元件數(shù)目 2
晶體管材料 Si
暫無(wú)
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