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Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SiR582DP-T1-RE3      品牌:Vishay/威世

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
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Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這款 Vishay TrenchFET N 溝道功率 MOSFET 的漏極電流為 116 A,用于同步整流、初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)、直流/直流轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。

極低的 RDS x Qg 品質(zhì)因數(shù)(FOM)
經(jīng)過(guò)調(diào)諧,適合最低的 RDS x Qoss FOM
100 % Rg 和 UIS 測(cè)試


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 116 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PowerPAK SO-8
安裝類型 表面貼裝
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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