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Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 N 溝道， IN-263-3 封裝，是一種新時(shí)代的產(chǎn)品，漏極源電壓為 400V ，最大柵極源電壓為 30V。它在柵極源電壓為 10V 時(shí)具有 10mohm 的漏 - 源電阻。MOSFET 的最大功耗為 74W。 此產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?完全特征化的電容和雪崩電壓和電流
?無(wú)鹵素和無(wú)鉛 (Pb) 組件
?改進(jìn)的柵極，雪崩和動(dòng)態(tài) dV/dt
?低柵極電荷 Qg 可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)要求
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?高速功率切換
?開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
? UPS（不間斷電源）