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訂 貨 號(hào):BSZ097N10NS5ATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 的最新一代 OptiMOS? 5 100V 功率 MOSFET 專門設(shè)計(jì)用于電信系統(tǒng)和服務(wù)器電源的同步整流。此外,這些器件還可用于其他工業(yè)應(yīng)用,如太陽(yáng)能、低電壓驅(qū)動(dòng)器和適配器。新款 OptiMOS? 5 100V MOSFET 采用七種不同封裝,提供業(yè)內(nèi)最低的 R DS(on)
經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
特別適用于高切換頻率
輸出電容下降多達(dá) 44%
R DS(on) 下降多達(dá) 44%
優(yōu)點(diǎn):
最高系統(tǒng)效率
減少切換和傳導(dǎo)損耗
所需并聯(lián)減少
功率密度增加
低電壓過沖
目標(biāo)應(yīng)用:
電信
服務(wù)器
太陽(yáng)能
低電壓驅(qū)動(dòng)器
輕型電動(dòng)車
適配器
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 40 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | TSDSON |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 13 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 3.8V |
最小柵閾值電壓 | 2.2V |
最大功率耗散 | 69 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
長(zhǎng)度 | 3.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 22 nC @ 10 V |
寬度 | 3.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |