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Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SI7900AEDN-T1-GE3      品牌：Vishay/威世

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Vishay SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 6 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 PowerPAK 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 36 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 1.5 W
晶體管配置 共漏極
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
晶體管材料 Si
寬度 3.15mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 2
典型柵極電荷@Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
長度 3.15mm
暫無
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