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產(chǎn)品分類
分類：

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Nexperia PMXB40UNEZ MOSFET

訂 貨 號：PMXB40UNEZ      品牌：Nexperia

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

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Nexperia PMXB40UNEZ MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

12 V，N 溝道 Trench MOSFET，N 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。

Trench MOSFET 技術
無引線超小型和薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導
靜電放電 (ESD) 保護 1 kV
超低漏-源導通電阻 RDSon = 34 m?
超低閾值電壓：0.65 V，用于便攜式應用
低側(cè)負載開關和充電開關，用于便攜式設備
電池驅(qū)動便攜式設備的電源管理
LED 驅(qū)動器
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.2 A
最大漏源電壓 12 V
封裝類型 DFN1010D-3, SOT1215
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 121 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 0.9V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 8.33 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 8 V
每片芯片元件數(shù)目 3
寬度 1.05mm
典型柵極電荷@Vgs 66 nC @ 10 V
長度 1.15mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無
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