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Infineon IPB60R180P7ATMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPB60R180P7ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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Infineon IPB60R180P7ATMA1 MOSFET
產品詳細信息

the Infineon 600V coolmos ? P7 超結（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ? P6 系列的后繼產品。它繼續(xù)在設計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ? 7th 系列平臺固有的低柵極電荷 (qg ) 確保了其高效率。

≥ 2kV 的 esd 堅固性（ hbm 2 類）
集成柵極電阻器 r g
堅固的體二極管
廣泛的產品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業(yè)級部件


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 18 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 180 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無
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