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Infineon IGBT 晶體管具有 650 V 穿透電壓，晶體管最大結溫為 175°C。

在硬切式和諧振拓撲中具有同類最佳的效率
采用即插即用方式取代上一代的 IGBT
適用于太陽能轉換器、不間斷電源、焊接轉換器
中到高開關頻率轉換器