Infineon IGBT 模塊的最大額定集電極發射極電壓為 1200 V,總耗散功率為 1600 W,最大柵極閾值電壓為 6.4 V。
內部隔離基本絕緣(1 類,IEC 61140)
柵極-發射極峰值電壓 + /- 20 V
集電極-發射極飽和電壓 2.15 V
柵極-發射極泄漏電流 400 nA
屬性 | 數值 |
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最大連續集電極電流 | 450 A |
最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 1.6 kW |
晶體管數 | 2 |