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濁度傳感器

幾種實(shí)用的低電壓冗余電源方案設(shè)計(jì)

發(fā)布日期:2022-04-17 點(diǎn)擊率:139

    引 言
     對于一些需要長時間不間斷操作、高可靠的系統(tǒng),如基站通信設(shè)備、監(jiān)控設(shè)備、服務(wù)器等,往往需要高可靠的電源供應(yīng)。冗余電源設(shè)計(jì)是其中的關(guān)鍵部分,在高可用系統(tǒng)中起著重要作用。冗余電源一般配置2個以上電源。當(dāng)1個電源出現(xiàn)故障時,其他電源可以立刻投入,不中斷設(shè)備的正常運(yùn)行。這類似于UPS電源的工作原理:當(dāng)市電斷電時由電池頂替供電。冗余電源的區(qū)別主要是由不同的電源供電。
     電源冗余有交流220 V及各種直流電壓的應(yīng)用,本文主要介紹低壓直流(如DC 5 V、DC 12 V等)的冗余電源方案設(shè)計(jì)。

  1 冗余電源介紹
     電源冗余一般可以采取的方案有容量冗余、冗余冷備份、并聯(lián)均流的N+1備份、冗余熱備份等方式。容量冗余是指電源的最大負(fù)載能力大于實(shí)際負(fù)載,這對提高可靠性意義不大。
     冗余冷備份是指電源由多個功能相同的模塊組成,正常時由其中一個供電,當(dāng)其故障時,備份模塊立刻啟動投入工作。這種方式的缺點(diǎn)是電源切換存在時間間隔,容易造成電壓豁口。
     并聯(lián)均流的N+1備份方式是指電源由多個相同單元組成,各單元通過或門二極管并聯(lián)在一起,由各單元同時向設(shè)備供電。這種方案在1個電源故障時不會影響負(fù)載供電,但負(fù)載端短路時容易波及所有單元。冗余熱備份是指電源由多個單元組成,并且同時工作,但只由其中一個向設(shè)備供電,其他空載。主電源故障時備份電源可以立即投入,輸出電壓波動很小。本文主要介紹后兩種方案的設(shè)計(jì)。

  2 傳統(tǒng)冗余電源方案
     傳統(tǒng)的冗余電源設(shè)計(jì)方案是由2個或多個電源通過分別連接二極管陽極,以“或門”的方式并聯(lián)輸出至電源總線上。如圖1所示。可以讓1個電源單獨(dú)工作,也可以讓多個電源同時工作。當(dāng)其中1個電源出現(xiàn)故障時,由于二極管的單向?qū)ㄌ匦裕粫绊戨娫纯偩€的輸出。



     在實(shí)際的冗余電源系統(tǒng)中,一般電流都比較大,可達(dá)幾十A。考慮到二極管本身的功耗,一般選用壓降較低、電流較大的肖特基二極管,比如SR1620~SR1660(額定電流16 A)。通常這些二極管上還需要安裝散熱片,以利于散熱。

  3 傳統(tǒng)方案與替代方案的比較
     使用二極管的傳統(tǒng)方案電路簡單,但有其固有的缺點(diǎn):功耗大、發(fā)熱嚴(yán)重、需加裝散熱片、占用體積大。由于電路中通常為大電流,二極管大部分時間處于前向?qū)J剑膲航邓鸬墓牟蝗莺鲆暋W钚航档男ぬ鼗O管也有0.45 V,在大電流時,例如12 A,就有5 W的功耗,因此要特別處理散熱問題。
     現(xiàn)在新的冗余電源方案是采用大功率的MOSFET管來代替?zhèn)鹘y(tǒng)電路中的二極管。MOSFET的導(dǎo)通內(nèi)阻可以到幾mΩ,大大降低了壓降損耗。在大功率應(yīng)用中,不僅實(shí)現(xiàn)了效率更高的解決方案,而且由于無需散熱器,所以節(jié)省了大量的電路板面積,也減少了設(shè)備的散熱源。應(yīng)用電路中MOSFET需要有專業(yè)芯片的控制。目前,TI、Linear等各大公司都推出了一些成熟的該類芯片。

  4 新方案中MOSFET的特殊應(yīng)用
     MOSFET在新的冗余電源方案中是關(guān)鍵器件。由于與常規(guī)電路中的應(yīng)用不同,很多人對MOSFET的認(rèn)識都存在一定誤區(qū)。為了方便后續(xù)電路的介紹,下面對其特殊之處作以說明。
     首先,MOSFET符號中的箭頭并不代表實(shí)際電流流動方向。在三極管應(yīng)用中,電流方向與元件符號的箭頭方向相同,因此很多人以為MOSFET也是如此。其實(shí)MOSFET與三極管不同,它的箭頭方向只是表示從P極板指向N極板,與電流方向無關(guān),如圖2所示。


  其次,應(yīng)注意MOSFET中二極管的存在。如圖2所示,N溝道MOSFET中源極S接二極管的陽極,P溝道MOS-FET中漏極D接二極管的陽極。因此,在大多數(shù)把MOSFET當(dāng)作開關(guān)使用的電路中,對于N溝道MOSFET,電流是從漏極流向源極,柵極G接高電壓導(dǎo)通;對于P溝道MOSFET,電流是從源極流向漏極,柵極G接低電壓導(dǎo)通,否則由于二極管的存在,柵極的控制就不能關(guān)斷電流通路。

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