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產(chǎn)品分類(lèi)

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科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類(lèi):
鐵路專(zhuān)用連接器

電力電子器件的歷史與未來(lái)

發(fā)布日期:2022-04-17 點(diǎn)擊率:195

  從1958年美國(guó)通用電氣(GE)公司研制出世界上第一個(gè)產(chǎn)業(yè)用普通晶閘管開(kāi)始,電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組和靜止的離子變流器進(jìn)進(jìn)由電力電子器件構(gòu)成的變流器時(shí)代,這標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。到了70年代,晶閘管開(kāi)始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品。同時(shí),非對(duì)稱晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管等晶閘管派生器件相繼問(wèn)世,廣泛應(yīng)用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn),其研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。

  電力電子器件種類(lèi)

  由于普通晶閘管不能自關(guān)斷,屬于半控型器件,因而被稱作第一代電力電子器件。在實(shí)際需要的推動(dòng)下,隨著理論研究和工藝水平的不斷進(jìn)步,電力電子器件在容量和類(lèi)型等方面得到了很大發(fā)展,先后出現(xiàn)了GTR、GTO、功率MOSET等自關(guān)斷、全控型器件,被稱為第二代電力電子器件。近年來(lái),電力電子器件正朝著復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展,如IGPT、MCT、HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物。

  1,電力整流管

  整流管產(chǎn)生于本世紀(jì)40年代,是電力電子器件中結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單、使用最廣泛的一種器件。目前已形成普通整流管、快恢復(fù)整流管和肖特基整流管等三種主要類(lèi)型。其中普通整流管的特點(diǎn)是:漏電流小、通態(tài)壓降較高(10~18V)、反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)(幾十微秒)、可獲得很高的電壓和電流定額。多用于牽引、充電、電鍍等對(duì)轉(zhuǎn)換速度要求不高的裝置中。較快的反向恢復(fù)時(shí)間(幾百納秒至幾微秒)是快恢復(fù)整流管的明顯特點(diǎn),但是它的通態(tài)壓降卻很高(16~40V)。它主要用于斬波、逆變等電路中充當(dāng)旁路二極管或阻塞二極管。肖特基整流管兼有快的反向恢復(fù)時(shí)間(幾乎為零)和低的通態(tài)壓降(0.3~0.6V)的優(yōu)點(diǎn),不過(guò)其漏電流較大、耐壓能力低,常用于高頻低壓儀表開(kāi)關(guān)電源。目前的研制水平為:普通整流管(8000V/5000A/400Hz);快恢復(fù)整流管(6000V/1200A/1000Hz);肖特基整流管(1000V/100A/200kHz)。

  電力整流管對(duì)改善各種電力電子電路的性能、降低電路損耗和進(jìn)步電源使用效率等方面都具有非常重要的作用。隨著各種高性能電力電子器件的出現(xiàn),開(kāi)發(fā)具有良好高頻性能的電力整流管顯得非常必要。目前,人們已通過(guò)新奇結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和大規(guī)模集成電路制作工藝的運(yùn)用,研制出集PIN整流管和肖特基整流管的優(yōu)點(diǎn)于一體的具有MPS、SPEED和SSD等結(jié)構(gòu)的新型高壓快恢復(fù)整流管。它們的通態(tài)壓降為1V左右,反向恢復(fù)時(shí)間為PIN整流管的1/2,反向恢復(fù)峰值電流為PIN整流管的1/3。

  2,晶閘管及其派生器件

  晶閘管誕生后,其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的改革,為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年,雙向晶閘管在GE公司開(kāi)發(fā)成功,應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制;1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ);60年代后期,大功率逆變晶閘管問(wèn)世,成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件;1974年,逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。

  普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡(jiǎn)便而經(jīng)濟(jì)的辦法。不過(guò),這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。

  雙向晶閘管可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,因而其控制電路比較簡(jiǎn)單。其缺點(diǎn)是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng),其水平已超過(guò)2000V/500A。

  光控晶閘管是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓盡緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。

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