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科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類:
IGBT模塊

可控硅工作原理

發(fā)布日期:2022-04-26 點(diǎn)擊率:122

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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

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