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對于開關(guān)電源系統(tǒng)。

因為任何產(chǎn)品都要有電源來供電，此處沒有處理好一定會影響到其它的地方。

不論是什么產(chǎn)品－它的輻射或傳導(dǎo)主要由這個產(chǎn)品內(nèi)部的敏感器件造成的。

對于電源產(chǎn)品主要的EMC器件是：

開關(guān)MOS管、開關(guān)變壓器、輸出整流二極管。

從綜合角度來看，只要解決好這三個方面的協(xié)調(diào)問題EMC就不難搞定。

而解決EMC的方法概括來說就是：

消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。

a．消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。

b．切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，

使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。

c．疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的器件及位置上；

如旁路，去藉，接地等方式。

如果對于EMC方面高效設(shè)計的細(xì)節(jié)可參考我的：

《開關(guān)電源的EMC－分析與設(shè)計》

先分析一個設(shè)計細(xì)節(jié)來探討開關(guān)系統(tǒng)的EMI問題；

1、在FLY（反激式）電源中，Y電容接初級地與次級地之間在＞10MHZ的傳導(dǎo)＆輻射測試時，我們有時會發(fā)現(xiàn)要比Y電容接在高壓（電解電容正端）與次級地之間要高個幾dB左右。（電子設(shè)計者的疑問？）

答案：從應(yīng)用和設(shè)計來說：我們還也要看情況而定。

A．對于功率等級較大的設(shè)計來說；產(chǎn)品及設(shè)備都會有金屬背板或金屬外殼的設(shè)計；對于此類的設(shè)計應(yīng)用Y電容接初級地與次級地，這個是推薦的應(yīng)用接法，系統(tǒng)會有更優(yōu)的EMC性能。（EMI＆EMS都更容易設(shè)計）Y電容的接入還要看系統(tǒng)的回流路徑的環(huán)路面積。

B．對于低功率等級的設(shè)計來說：產(chǎn)品的應(yīng)用大多為浮地設(shè)計；如下圖：

如果系統(tǒng)采用PI公司的集成MOS的設(shè)計應(yīng)用方案；開關(guān)電源沒有輔助繞組供電的內(nèi)部自供電技術(shù)，同時變壓器設(shè)計采用法拉第電磁屏蔽繞組的設(shè)計。

這時Y電容的接法就要建議使用Y電容接在高壓（電解電容正端）與次級地之間接法，此時的EMI測試結(jié)果肯定比接初級地與次級地之間要好很多。

C．對于有輔助繞組控制的PI電源系統(tǒng)；Y電容的接法就要注意了；接的不好會有EMS的問題。如下圖：

不合理的布線及Y電容的設(shè)計就會帶來EMS的設(shè)計問題。

解決措施：帶來好的EMC性能。如下圖設(shè)計：

D．再來分析一下實際Y電容的應(yīng)用案例：

Y電容回路影響。如下圖（小功率電源）：

將圖中：CY1＝2．2nF，去掉CY2（器件不焊接）測試數(shù)據(jù)如下：

將圖中：CY2＝2．2nF，去掉CY1（器件不焊接）測試數(shù)據(jù)如下：

實驗結(jié)果：不同Y電容回路，在垂直方向輻射相差幾個dB的效果。

結(jié)果分析：

Y電容將流過變壓器的共模電流要進行回路為差模電流以改善EMI，該回路為輻射干擾源，回路面積越小EMI越好。小的回路就會有更好的EMI性能。

EMI測試的效果差異，我們要用理論和實際情況相結(jié)合；我們的結(jié)論才不會產(chǎn)生誤導(dǎo)；便于我們真正的解決碰到的EMC設(shè)計問題。