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　　只讀存儲器（ROM）的信息在制作時或經過必定的編程辦法寫入，在體系中通常只能讀出不能寫入。在斷電時，其信息不會扔掉，它用來寄存固定的程序及數據，如監控程序、數據表格等。
　　只讀存儲器能夠分為掩膜式ROM、一次性編程PROM、可重復編程的則有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
　　掩膜式ROM也稱固定ROM。它是由半導體出產廠根據用戶的懇求，在出產進程中根據用戶供給的程序或數據制作。制成往后，用戶只能讀出其信息而不能加以批改。它適用于定型商品的批量出產。
　　一次性編程PROM可供用戶經過編程器寫入一次程序或數據。寫入往后其內容不容許批改。這么用戶可自即將無須批改的程序或數據寫入 ROM，如寫入后發現其內容還需批改，只能將此芯片作廢，從頭取用一片新的。它適用于批量較小的場合。
　　EPROM是一種運用光擦除的能夠重復擦、寫的只讀存儲器。用戶可經過編程器寫入程序。當需求批改時，可用紫外光經過芯片上的石英玻璃窗照耀芯片15～20分鐘，將芯片內的信息悉數擦除。此刻悉數單元的內容均為"1"。用戶可將其再次寫入信息。EPROM運用比照活絡，當用戶寫入一程序后發現有些數據需批改時，能夠將其內容擦去后再次寫入。它在科研及小批量出產進程中運用較遍及。
　　EPROM的擦或寫均需專用設備。即便要批改一個數據也有必要將芯片從體系中拆下，把信息悉數擦除后再次從頭寫入。而在實習運用中，通常只懇求批改一個或少量幾個數據。EEPROM和Flash Memory在這方面顯現了其優勝性，是如今用得較多的大容量只讀存儲器。與光擦除的EPROM紛歧樣的是，它選用了電擦除的辦法，而編程也無須經過專用的編程器進行，可在運用體系中直接編程。在寫入的一同即擦除了原有的信息，通常在器材的內部發作編程所需的高電壓，用戶只需5V的電壓即可對其進行操作。
　　E2PROM的數據讀出相似于靜態RAM（SRAM）的數據讀出，數據寫入分為字節寫入和頁寫入兩種辦法。在器材內包含了一個64字節的頁寄存器，容許最多寫入64個字節（一頁）的數據。寫入操作包含數據鎖存和編程2個進程，寫周期最大為10ms。在寫入操作的一同，原先的數據即被擦除。
　　Flash Memory的數據讀出相似于靜態RAM（SRAM）的數據讀出。數據寫入為頁寫入辦法。在器材內包含了一個64字節的頁寄存器，懇求一次寫入64個字節（一頁）的數據，寫入操作包含數據鎖存和編程2個進程，寫周期最大為10ms。在編程時，一頁中未裝入的數據將為不斷定數據。在寫入操作的一同，原先的數據即被擦除。