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發(fā)布日期:2022-10-09 點(diǎn)擊率:114
1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的根柢構(gòu)造
半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片選用超大計(jì)劃集成電路制作技能,經(jīng)過(guò)地址總線、數(shù)據(jù)總線和操控總線與外部聯(lián)接。地址線是單向輸入,數(shù)據(jù)線是雙向輸入輸出,數(shù)據(jù)線和地址的位數(shù)一同反映存儲(chǔ)芯片的容量。
操控線首要有讀/寫(xiě)操控線與片選線兩種。一般主存由多個(gè)存儲(chǔ)芯片構(gòu)成,讀/寫(xiě)操控線挑選芯片進(jìn)行讀/寫(xiě)操作,片選線用來(lái)挑選存儲(chǔ)芯片,如圖所示。
圖 64K×8位的存儲(chǔ)器
2.半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的分類
依據(jù)存儲(chǔ)器運(yùn)用的紛歧樣,能夠分為只讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。
(1)RAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory)
CPU依據(jù)RAM的地址將數(shù)據(jù)隨機(jī)的寫(xiě)入或讀出,電源堵截后,所存數(shù)據(jù)悉數(shù)扔掉。依照集成電路內(nèi)部構(gòu)造紛歧樣,RAM又分為SRAM(靜態(tài)RAM,Static RAM)和DRAM(動(dòng)態(tài)RAM,Dynamic RAM)兩類
(2)ROM只讀存儲(chǔ)器(Read only Memory)
ROM存儲(chǔ)器將程序及數(shù)據(jù)固化在芯片中,數(shù)據(jù)只能讀出不能寫(xiě)入,電源關(guān)掉,數(shù)據(jù)也不會(huì)扔掉。ROM按集成電路的內(nèi)部構(gòu)造能夠分為EPROM可擦除、可編程(Erasable PROM)和EEPROM電可擦除可編程(Electrically Erasable PROM)。
(3)Flash存儲(chǔ)器
Flash存儲(chǔ)器可在幾秒鐘的時(shí)刻內(nèi)結(jié)束全片的擦除,它的最大利益是集成度高、報(bào)價(jià)便宜,不需求脫機(jī)擦寫(xiě)、可在線編程,AT89S52單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器選用的是Flash存儲(chǔ)器。
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