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氣體傳感器：MQ-6可燃氣體傳感器 第1張" title="mq 系列 氣體傳感器：MQ-6可燃氣體傳感器 第1張-傳感器知識網"/>

mq 系列 氣體傳感器：MQ-6可燃氣體傳感器

產品型號
MQ-6
產品類型
半導體氣體傳感器
標準封裝
塑封
檢測氣體
液化氣、甲烷
檢測濃度
300～ppm（甲烷、丙烷）
標準電路條件
回路電壓
Vc
≤24V DC
加熱電壓
VH
5.0V±0.1V ACorDC
負載電阻
RL
可調
標準測試條件下氣敏元件特性
加熱電阻
RH
29Ω±3Ω（室溫）
加熱功耗
PH
≤950mW
輸出電壓
Vs
2.5V～4.0V (in 2000ppm C3H8)
靈敏度
S
Rs(in air)/Rs( in 2000ppm C3H8)≥5
濃度斜率
α
≤0.6(R3000ppm/R1000ppmC3H8)
標準測試條件
溫度、濕度
20℃±2℃；55%±5%RH
標準測試電路
Vc:5.0V±0.1V；VH:5.0V±0.1V
預熱時間
不少于48小時
氧氣濃度
21%(不低于18%，(氧氣濃度會影響傳感器的初始值、靈敏度及重復性，在低氧氣濃度下使用時請咨詢使用）
壽命
10年

mq 系列 氣體傳感器：MQ系列氣體傳感器

MQ系列氣體傳感器類
tijos.framework.sensor.mq中包含了MQ系列氣體檢測關的傳感器類，通過MQ氣體檢測傳感器，測量周圍環境中的可燃氣體濃度（包含甲烷、丙烷、丁烷、氫氣、酒精以及液化氣等易燃氣體），并通過相應的模擬電壓值的輸出和數字信號輸出實現濃度監測和報警的功能。
包含類如下:
類名稱
說明
TiMQ
MQn(n=2/3/4/5/6/7/8/9/135)氣體檢測傳感器類
TiMQ
TiJOS提供使用MQ氣體檢測傳感器的類。
TiJOS MQ 包括如下類：
類名
說明
TiMQ
MQ氣體檢測傳感器類
TiMQEventListener
MQ氣體檢測報警事件接口
TiMQ的創建、綁定與使用
TiMQ實例在創建時需要和具體總線設備綁定，具體綁定類型與其工作方式以及通訊協議有關，本實例綁定的設備總線類為 tijos.framework.devicecenter.TiGPIO和tijos.framework.devicecenter.TiADC；設備總線的使用請參考：tijos.framework.devicecenter。
構造器如下：
構造器
說明
TiMQ(TiGPIO gpio, int signalPinID)
創建實例
TiMQ(TiGPIO gpio, int signalPinID, TiADC adc)
創建實例，允許獲取當前傳感器輸出模擬電壓值
TiMQEventListener()
創建實例，氣體檢測報警事件監聽
TiMQ類中主要方法的使用：
主要方法如下：
方法
說明
boolean isGreaterThanThreshold()
獲取當前測量值是否已經大于門限值
double getAnalogOutput()
獲取當前傳感器AO口輸出的模擬電壓值（單位：V）
int getDigitalOutput()
獲取當前傳感器DO口輸出的數字電平（1:高電平，0:低電平）
long getEventTime()
獲取事件發生時間，單位：us
int getSignalPinID()
獲取報警信號pin ID
TiMQ事件監聽
TiMQ的事件監聽主要通過TiMQEventListener事件回調來處理事件，事件類型包括：
方法
說明
void setEventListener(TiMQEventListener lc)
設置監聽
void onThresholdNotify(TiMQ mq)
門限檢測通知
創建TiMQ事件監聽對象：
事件處理：
①注：由于MQn類型的傳感器本身屬于化學成分檢測的傳感器，對于各類氣體的濃度，僅能以電壓值的高低來表示。另一方面，化學氣體濃度檢測傳感器在使用前，需要在可信實驗室中采用定濃度氣體進行對比校準，方可得到傳感器的等效的濃度轉換曲線以及換算公式。基于以上原因，在我們的示例場景中，并未做xx氣體濃度與電壓值的換算關系，僅在傳感器輸出的電壓達到較高值（例如5V）時，做出報警的提示，來模擬環境中可燃氣體濃度較高、需要報警提示的場景。
TiMQ類中他方法的使用請參考《TiMQ2可燃氣體濃度監測例程》。

mq 系列 氣體傳感器：MQ系列氣體傳感器通用說明書

鄭州煒盛電子科技有限公司
1
通用說明書
工作原理
MQ系列氣體傳感器的敏感材料是活性很高的
金屬氧化物半導體,最常用的如SnO2。金屬氧化物
半導體在空氣中被加熱到一定溫度時，氧原子被吸
附在帶負電荷的半導體表面，半導體表面的電子會
被轉移到吸附氧上，氧原子就變成了氧負離子，同
時在半導體表面形成一個正的空間電荷層，導致表
面勢壘升高，從而阻礙電子流動（見圖1）
。
在敏感材料內部，自由電子必須穿過金屬氧化
物半導體微晶粒的結合部位
（晶界）
才能形成電流
。
由氧吸附產生的勢壘同樣存在于晶界而阻礙電子
的自由流動，傳感器的電阻即緣于這種勢壘。在工
作條件下當傳感器遇到還原性氣體時，氧負離子因
與還原性氣體發生氧化還原反應而導致其表面濃
度降低，勢壘隨之降低（圖2和圖3）
。導致傳感器
的阻值減小。
在給定的工作條件下和適當的氣體濃度范圍
內，傳感器的電阻值和還原性氣體濃度之間的關系

mq 系列 氣體傳感器：MQ系列氣體傳感器通用說明書_1

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半導體氣體傳感器通用說明書半導體氣體傳感器通用說明書
工作原理MQ系列氣體傳感器的敏感材料是活性很高的金屬氧化物半導體,最常用的如SnO2。金屬氧化物半導體在空氣中被加熱到一定溫度時，氧原子被吸附在帶負電荷的半導體表面，半導體表面的電子會被轉移到吸附氧上，氧原子就變成了氧負離子，同時在半導體表面形成一個正的空間電荷層，導致表面勢壘升高，從而阻礙電子流動（見圖1）。在敏感材料內部，自由電子必須穿過金屬氧化物半導體微晶粒的結合部位（晶界）才能形成電流。由氧吸附產生的勢壘同樣存在于晶界而阻礙電子的自由流動，傳感器的電阻即緣于這種勢壘。在工作條件下當傳感器遇到還原性氣體時，氧負離子因與還原性氣體發生氧化還原反應而導致其表面濃度降低，勢壘隨之降低（圖2和圖3）。導致傳感器的阻值減小。在給定的工作條件下和適當的氣體濃度范圍內，傳感器的電阻值和還原性氣體濃度之間的關系可近似由下面方程表示：圖1-晶粒間勢壘模型（潔凈空氣）
其中：Rs：傳感器電阻A：常數[C]:氣體濃度α:Rs曲線的斜率傳感器特性1氧氣分壓的影響圖4所示為大氣中氧分壓（PO2）和MQ氣體傳感器在清潔空氣中阻值之間的典型關系。2氣敏特性根據前述方程，在某一氣體濃度范圍內（從幾十ppm至幾千ppm），在工作條件下，傳感器的電阻同氣體濃度呈對數線性關系。如圖5所示。傳感器對多種還原氣體具有敏感性，對指定氣體的相對靈敏度，取決