動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access
Memory，RAM" target="_blank">DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
隨機存取存儲器(英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM)，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外，見下文)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。主存(Main
memory)即電腦內部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產電腦所用的主存主要是DDR3
SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access
Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile
memory)設備。
DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣。基本的操作機制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后在把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現(xiàn)象，若內部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。
嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管(二端子)、三極管、場效應管、晶閘管(后三者均為三端子)等。晶體管有時多指晶體三極管。三端子晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET，單極性)。晶體管有三個極(端子);雙極性晶體管的三個極(端子)，分別是由N型、P型半導體組成的發(fā)射極(Emitter)、基極(base)
和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極(端子)，分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。晶體管因為有三個電極，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
