發布日期：2022-10-09 點擊率：40
哪個含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI新發布的F3 FemtoFET，聲稱其產品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。
圖1：F3 FemtoFET組合尺寸
查看最新產品，加入下表包括超低容量產品CSD15380F3在內的FemtoFET產品組合，。
部件編號 | N/P | Vds | Vgs | Id Cont. (A) | 典型的導通電阻 (mohm) | 輸入電容 (pF) | ||
4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
CSD15380F3 | N | 20 | 10 | 0.5 | 1170 | 2200 | x | 8.1 |
CSD25480F3 | P | 20 | 12 | 1.7 | 132 | 203 | 420 | 119 |
CSD23280F3 | P | 12 | 6 | 1.8 | 97 | 129 | 180 | 180 |
表1 F3 FemtoFETs
體積如此之小的設備，一個關鍵的考慮點是如何使用表面裝配技術（SMT）將FemtoFET與面板連接。設備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設備能否處理組合產品的關鍵因素。大多數的高容量個人電子產品制造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設備，但部分工業用客戶的SMT設備最小焊盤距離僅能到0.5mm。
FemtoFET的連接盤網格陣列（LGA）封裝與硅芯片級封裝（CSP）相似，唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產品的F4客戶更強的信心，即他們的SMT設備可處理F3 FemtoFET。
為了使FemtoFET能應用到工業用設備，TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產品，并將電壓范圍擴充至60V。了解更多60V F5設備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET縮小工業設備體積。”
TI推薦使用無鉛（SnAgCu）SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏，但體積更小的第四類焊錫膏則是更優選擇。焊膏應免清洗，且可溶于水。不過，在面板安裝之后用焊劑進行清洗仍不失為是個絕妙主意。
使用面板模子在面板上標出將施加焊錫膏的點位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數。模子最厚應不超過100μm。
低漏電型FemtoFET可用于各類可穿戴設備和個人通訊設備。由于柵極漏電和漏極漏電的單位數僅為納米安培級，FemtoFET可協助保證您的個人電子設備的充電電池可支撐使用一整天。自2013年以來，FemtoFET產品發行量已超過五億。這個夏天，我正在長灘島度假，在我的夢中，全都是這些有著完美焊盤距離的沙粒。更多內容，請點擊閱讀TI FemtoFET MOSFETS 產品家族。
其他信息
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了解更多關于SMT和FemtoFET產品信息，請點擊FemtoFET設計綜述。
原文鏈接：
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/06/27/turning-sand-into-gold
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