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新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。

高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管的功耗來(lái)提高效率。體二極管是寄生二極管，對(duì)于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示為典型MOSFET電路符號(hào)中表示的體二極管。

圖1：MOSFET符號(hào)包括固有的體二極管

限制體二極管的導(dǎo)通時(shí)間將進(jìn)而降低其兩端所消耗的功率。這是因?yàn)楫?dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，體二極管上的電壓降通常高于MOSFET兩端的電壓。由于對(duì)于相同的電流水平，P = I×V（其中P是功耗，I是電流，V是電壓降），通過(guò)MOSFET通道的傳導(dǎo)損耗顯著低于通過(guò)體二極管的傳導(dǎo)損耗。

這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過(guò)用諸如功率MOSFET的有源控制器件代替二極管來(lái)提高這些電路的效率。減少體二極管導(dǎo)通使這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)最大化。

讓我們考慮一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器。當(dāng)高側(cè)FET關(guān)斷并且電感器中仍然存在電流時(shí)，低側(cè)FET的體二極管變?yōu)檎蚱谩Ｐ∷绤^(qū)時(shí)間對(duì)避免直通很有必要。在此之后，低側(cè)FET導(dǎo)通并開(kāi)始通過(guò)其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。

負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端施加信號(hào)到輸出開(kāi)始變高的時(shí)間之間的時(shí)間。這種情況的一個(gè)示例如圖2所示。該想法是，當(dāng)FET重新導(dǎo)通時(shí)，體二極管將關(guān)斷。快速導(dǎo)通傳播延遲可以更快地導(dǎo)通FET，從而最小化體二極管的導(dǎo)通時(shí)間，進(jìn)而使損耗最小化。

TI的產(chǎn)品組合包括具有行業(yè)領(lǐng)先的高速導(dǎo)通傳播延遲的柵極驅(qū)動(dòng)器。參見(jiàn)表1。

表1：高速驅(qū)動(dòng)器

系統(tǒng)效率是一個(gè)團(tuán)隊(duì)努力的結(jié)果。本博客系列介紹了高速和高電流柵極驅(qū)動(dòng)器是關(guān)鍵件。立即訪問(wèn)www.ti.com/gatedrivers開(kāi)始設(shè)計(jì)您的高效系統(tǒng)。

其他信息

• TI Designs參考設(shè)計(jì)庫(kù)中展示了高效率系統(tǒng)中的高速柵極驅(qū)動(dòng)器：

• “隔離GaN驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)”。

• “用于電信的1 kW三路隔離DC / DC數(shù)字電源（-8V @ .25A）”。