【導(dǎo)讀】在我們?nèi)粘Ｊ褂檬静ㄆ鞯臅r(shí)候，有時(shí)候會需要進(jìn)行高分辨率測量，這個(gè)時(shí)候就可以把數(shù)字示波器看作一個(gè)整體系統(tǒng)，充分利用這套系統(tǒng)來改善測量結(jié)果，而不僅僅只是將數(shù)字示波器當(dāng)成簡單的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
在我們?nèi)粘Ｊ褂檬静ㄆ鞯臅r(shí)候，有時(shí)候會需要進(jìn)行高分辨率測量，這個(gè)時(shí)候就可以把數(shù)字示波器看作一個(gè)整體系統(tǒng)，充分利用這套系統(tǒng)來改善測量結(jié)果，而不僅僅只是將數(shù)字示波器當(dāng)成簡單的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。我們在進(jìn)行高分辨率測量的時(shí)候，必須考慮到整條信號路徑，從探頭尖端，到示波器的模擬前端、再到采樣和數(shù)字信號處理，都要考慮到。那么如何利用工具，將示波器的測量分辨率成功的提高到11位以上，來滿足我們進(jìn)行高分辨率測量的使用需求呢？今天安泰測試就給大家分享一下：
基于時(shí)間反演法試驗(yàn)裝置
通過工具來將示波器的測量分辨率提高總共可以分為3個(gè)步驟來進(jìn)行，分別是：探測、濾波、采樣。最先要進(jìn)行的就是探測環(huán)節(jié)，在進(jìn)行探測環(huán)節(jié)的時(shí)候，探頭的選擇和探頭的設(shè)置至關(guān)重要，在設(shè)置探頭的時(shí)候要最大限度的降低衰減，使信噪比達(dá)到最大；還可以使用短線，最大限度的降低噪聲耦合；同時(shí)還可以使用內(nèi)置探頭濾波器降低噪聲。上面這一步完成之后，就需要利用DC信號去測量小AC信號了，如果說接近地電平的小信號測量起來極具挑戰(zhàn)性的話，那么測量位于大 DC 分量上的低壓 AC 信號的難度則要大得多。在電源上進(jìn)行紋波測量是這種應(yīng)用的常見實(shí)例。處理 DC 偏置可能會涉及探頭設(shè)置以及示波器前端設(shè)置。探測環(huán)節(jié)最后一步就是限制輸入信號的動態(tài)范圍，為測量信號在接地周圍部分的細(xì)節(jié)，可以放大波形，信號更高的部分會偏移出屏幕。但必須注意，過度驅(qū)動探頭或示波器輸入放大器可能會導(dǎo)致失真，所以要特別小心。到這里，探測環(huán)節(jié)就已經(jīng)完成了。
接下來就是濾波環(huán)節(jié)，濾波環(huán)節(jié)的操作步驟相對少一些，只有一個(gè)步驟，那就是使用硬件帶寬限制和采樣率降低噪聲。在大多數(shù)情況下，在高分辨率測量中，噪聲的影響要高于 ADC 分辨率。所以大多數(shù)的示波器和某些高級探頭都有一條電路，用來限制著測量系統(tǒng)的帶寬。并且在大多數(shù)情況下，在高分辨率測量中，噪聲的影響要高于 ADC 分辨率。
最后一個(gè)是采樣環(huán)節(jié)，首先來看一下示波器的采集模式，在測量低壓信號時(shí)，有兩種采集模式非常重要，具體視波形的可重復(fù)性而定，因?yàn)樗鼈兛梢杂脕砀纳茰y量分辨率：平均模式和 HiRes 模式。我們先來分析一下平均模式，平均模式是示波器采集系統(tǒng)中基本降噪信號處理技術(shù)之一。它依賴多次觸發(fā)采集重復(fù)的信號。通過使用來自兩次或兩次以上采集的數(shù)據(jù)，這種模式逐點(diǎn)平均采集中對應(yīng)的數(shù)據(jù)點(diǎn)，形成輸出波形。接下來是HiRes 采集模式，HiRes 模式是泰克已獲專利的采集流程，它計(jì)算并顯示每個(gè)采樣間隔中所有順序樣點(diǎn)值的平均值。在 HiRes 模式下，通過獲得進(jìn)一步水平采樣信息，可以提供更高的垂直分辨率，降低帶寬和噪聲。HiRes 處理在定制硬件中完成，以最大限度地提高速度。通過上面的幾個(gè)步驟，可以利用工具將示波器的測量分辨率準(zhǔn)確完美的提高到11位以上，滿足您的高分辨率測量需求。
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請電話或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
推薦閱讀：
基于壓電主動傳感技術(shù)中功率放大器的應(yīng)用
Analog Devices和Maxim Integrated宣布其合并已獲中國反壟斷許可
如何解決高頻信號傳輸領(lǐng)域存在的阻抗失配現(xiàn)象
如何將EMI控制在極低水平？這款穩(wěn)壓器來助力
微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
