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臺積電日前披露了其第一個40納米生產工藝技術,并稱之為“半節點”(half node ),并且表示將在未來三個月內用這種技術生產出第一批晶圓產品。

40納米技術是芯片廠商對以前的45納米工藝技術進行微調的結果。這個工藝把浸沒式光刻技術和極低功率的材料結合在了一起。臺積電稱,這種工藝將生產出目前市場上尺寸最小的SRAM芯片單元,芯片尺寸可縮小到平方微米。臺積電稱,通過從45納米向40納米的過渡,電源消耗將減少15%。此外,新的40納米節點顯然能夠讓LP芯片和G芯片提供比65納米工藝高倍的芯片閘密度。

臺積電表示,新的40LP工藝芯片將用于低功率的敏感型應用,如便攜式設備和無線設備。40G工藝的芯片將用于處理器、圖形處理器、游戲機、網絡和FPGA設計以及大量的其它消費電子產品中。

40G芯片和40LP芯片將在臺積電的12英寸晶圓工廠生產。