射頻放功率放大器基本概念
射頻功率放大器(RF PA)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大（緩沖級、中間放大級、末級功率放大級）獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。在調制器產生射頻信號后，射頻已調信號就由RF PA將它放大到足夠功率，經匹配網絡，再由天線發射出去。
放大器的功能，即將輸入的內容加以放大并輸出。輸入和輸出的內容，我們稱之為“信號”，往往表示為電壓或功率。對于放大器這樣一個“系統”來說，它的“貢獻”就是將其所“吸收”的東西提升一定的水平，并向外界“輸出”。如果放大器能夠有好的性能，那么它就可以貢獻更多，這才體現出它自身的“價值”。如果放大器存在著一定的問題，那么在開始工作或者工作了一段時間之后，不但不能再提供任何“貢獻”，反而有可能出現一些不期然的“震蕩”，這種“震蕩”對于外界還是放大器自身，都是災難性的。
射頻功率放大器的主要技術指標是輸出功率與效率，如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的核心。通常在射頻功率放大器中，可以用LC諧振回路選出基頻或某次諧波，實現不失真放大。除此之外，輸出中的諧波分量還應該盡可能地小，以避免對其他頻道產生干擾。
分類
根據工作狀態的不同，功率放大器分類如下：
傳統線性功率放大器的工作頻率很高，但相對頻帶較窄，射頻功率放大器一般都采用選頻網絡作為負載回路。射頻功率放大器可以按照電流導通角的不同，分為甲（A）、乙（B）、丙（C）三類工作狀態。甲類放大器電流的導通角為360°，適用于小信號低功率放大，乙類放大器電流的導通角等于180°，丙類放大器電流的導通角則小于180°。乙類和丙類都適用于大功率工作狀態，丙類工作狀態的輸出功率和效率是三種工作狀態中最高的。射頻功率放大器大多工作于丙類，但丙類放大器的電流波形失真太大，只能用于采用調諧回路作為負載諧振功率放大。由于調諧回路具有濾波能力，回路電流與電壓仍然接近于正弦波形，失真很小。
開關型功率放大器（Switching Mode PA,SMPA)，使電子器件工作于開關狀態，常見的有丁（D）類放大器和戊（E）類放大器，丁類放大器的效率高于丙類放大器。SMPA將有源晶體管驅動為開關模式，晶體管的工作狀態要么是開，要么是關，其電壓和電流的時域波形不存在交疊現象，所以是直流功耗為零，理想的效率能達到100%。
傳統線性功率放大器具有較高的增益和線性度但效率低，而開關型功率放大器具有很高的效率和高輸出功率，但線性度差。具體見下表：
電路組成
放大器有不同類型，簡化之，放大器的電路可以由以下幾個部分組成：晶體管、偏置及穩定電路、輸入輸出匹配電路。
1-1、晶體管
晶體管有很多種，包括當前還有多種結構的晶體管被發明出來。本質上，晶體管的工作都是表現為一個受控的電流源或電壓源，其工作機制是將不含內容的直流的能量轉化為“有用的”輸出。直流能量乃是從外界獲得，晶體管加以消耗，并轉化成有用的成分。不同的晶體管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有區別，這也是因為其能獲取的直流能量的能力不同所致；比如其反應速度不同，這決定它能工作在多寬多高的頻帶上；比如其面向輸入、輸出端的阻抗不同，及對外的反應能力不同，這決定了給它匹配的難易程度。
1-2、偏置電路及穩定電路
偏置和穩定電路是兩種不同的電路，但因為他們往往很難區分，且設計目標趨同，所以可以放在一起討論。
晶體管的工作需要在一定的偏置條件下，我們稱之為靜態工作點。這是晶體管立足的根本，是它自身的“定位”。每個晶體管都給自己進行了一定的定位，其定位不同將決定了它自身的工作模式，在不同的定位上也存在著不同的性能表現。有些定位點上起伏較小，適合于小信號工作；有些定位點上起伏較大，適合于大功率輸出；有些定位點上索取較少，釋放純粹，適合于低噪聲工作；有些定位點，晶體管總是在飽和和截至之間徘徊，處于開關狀態。一個恰當的偏置點，是正常工作的礎。在設計寬帶功率放大器時，或工作頻率較高時，偏置電路對電路性能影響較大，此時應把偏置電路作為匹配電路的一部分考慮。
偏置網絡有兩大類型，無源網絡和有源網絡。無源網絡(即自偏置網絡)通常由電阻網絡組成，為晶體管提供合適的工作電壓和電流。它的主要缺陷是對晶體管的參數變化十分敏感，并且溫度穩定性較差。有源偏置網絡能改善靜態工作點的穩定性，還能提高良好的溫度穩定性，但它也存在一些問題，如增加了電路尺寸、增加了電路排版的難度以及增加了功率消耗。
穩定電路一定要在匹配電路之前，因為晶體管需要將穩定電路作為自身的一部分存在，再與外界接觸。在外界看來，加上穩定電路的晶體管，是一個“全新的”晶體管。它做出一定的“犧牲”，獲得了穩定性。穩定電路的機制能夠保證晶體管順利而穩定的運轉。
1-3、輸入輸出匹配電路
匹配電路的目的是在選擇一種接受的方式。對于那些想提供更大增益的晶體管來說，其途徑是全盤的接受和輸出。這意味著通過匹配電路這一個接口，不同的晶體管之間溝通更加順暢，對于不同種的放大器類型來說，匹配電路并不是只有“全盤接受”一種設計方法。一些直流小、根基淺的小型管，更愿意在接受的時候做一定的阻擋，來獲取更好的噪聲性能，然而不能阻擋過了頭，否則會影響其貢獻。而對于一些巨型功率管，則需要在輸出時謹小慎微，因為他們更不穩定，同時，一定的保留有助于他們發揮出更多的“不扭曲的”能量。
典型的阻抗匹配網絡有L匹配、π形匹配和T形匹配。其中L匹配，其特點就是結構簡單且只有兩個自由度L和C。一旦確定了阻抗變換比率和諧振頻率，網絡的Q值（帶寬）也就確定了。π形匹配網絡的一個優點就是不管什么樣的寄生電容，只要連接到它，都可以被吸到網絡中，這也導致了π形匹配網絡的普遍應用，因為在很多的實際情況中，占支配地位的寄生元件是電容。T形匹配，當電源端和負載端的寄生參數主要呈電感性質時，可用T形匹配來把這些寄生參數吸收入網絡。
確保射頻PA穩定的實現方式
每一個晶體管都是潛在不穩定的。好的穩定電路能夠和晶體管融合在一起，形成一種“可持續工作”的模式。穩定電路的實現方式可劃分為兩種：窄帶的和寬帶的。
窄帶的穩定電路是進行一定的增益消耗。這種穩定電路是通過增加一定的消耗電路和選擇性電路實現的。這種電路使得晶體管只能在很小的一個頻率范圍內貢獻。另外一種寬帶的穩定是引入負反饋。這種電路可以在一個很寬的范圍內工作。
不穩定的根源是正反饋，窄帶穩定思路是遏制一部分正反饋，當然，這也同時抑制了貢獻。而負反饋做得好，還有產生很多額外的令人欣喜的優點。比如，負反饋可能會使晶體管免于匹配，既不需要匹配就可以與外界很好的接洽了。另外，負反饋的引入會提升晶體管的線性性能。
射頻PA的效率提升技術
晶體管的效率都有一個理論上的極限。這個極限隨偏置點（靜態工作點）的選擇不同而不同。另外，外圍電路設計得不好，也會大大降低其效率。目前工程師們對于效率提升的辦法不多。這里僅講兩種：包絡跟蹤技術與Doherty技術。
包絡跟蹤技術的實質是：將輸入分離為兩種：相位和包絡，再由不同的放大電路來分別放大。這樣，兩個放大器之間可以專注的負責其各自的部分，二者配合可以達到更高的效率利用的目標。
Doherty技術的實質是：采用兩只同類的晶體管，在小輸入時僅一個工作，且工作在高效狀態。如果輸入增大，則兩個晶體管同時工作。這種方法實現的基礎是二只晶體管要配合默契。一種晶體管的工作狀態會直接的決定了另一支的工作效率。
射頻PA面臨的測試挑戰
功率放大器是無線通信系統中非常重要的組件，但他們本身是非線性的，因而會導致頻譜增生現象而干擾到鄰近通道，而且可能違反法令強制規定的帶外（out-of-band）放射標準。這個特性甚至會造成帶內失真，使得通信系統的誤碼率（BER）增加、數據傳輸速率降低。
在峰值平均功率比（PAPR）下，新的OFDM傳輸格式會有更多偶發的峰值功率，使得PA不易被分割。這將降低頻譜屏蔽相符性，并擴大整個波形的EVM及增加BER。為了解決這個問題，設計工程師通常會刻意降低PA的操作功率。很可惜的，這是非常沒有效率的方法，因為PA降低10%的操作功率，會損失掉90%的DC功率。
現今大部分的RF PA皆支持多種模式、頻率范圍及調制模式，使得測試項目變得更多。數以千計的測試項目已不稀奇。波峰因子消減（CFR）、數字預失真（DPD）及包絡跟蹤（ET）等新技術的運用，有助于將PA效能及功率效率優化，但這些技術只會使得測試更加復雜，而且大幅延長設計及測試時間。增加RF PA的帶寬，將導致DPD測量所需的帶寬增加5倍（可能超過1 GHz），造成測試復雜性進一步升高。
依趨勢來看，為了增加效率，RF PA組件及前端模塊（FEM）將更緊密整合，而單一FEM則將支持更廣泛的頻段及調制模式。將包絡跟蹤電源供應器或調制器整合入FEM，可有效地減少移動設備內部的整體空間需求。為了支持更大的操作頻率范圍而大量增加濾波器/雙工器插槽，會使得移動設備的復雜度和測試項目的數量節節攀升。
半導體材料的變遷：
Ge(鍺)、Si(硅)→→→GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、SiGe(鍺化硅)、SOI(絕緣層上覆硅) →→→碳納米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。
目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs工藝。另外，GaAs HBT，砷化鎵異質結雙極晶體管。其中HBT（heterojunction bipolar transistor，異質結雙極晶體管）是一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構成的雙極晶體管。
CMOS工藝雖然已經比較成熟，但Si CMOS功率放大器的應用并不廣泛。成本方面，CMOS工藝的硅晶圓雖然比較便宜，但CMOS功放版圖面積比較大，再加上CMOS PA復雜的設計所投入的研發成本較高，使得CMOS功放整體的成本優勢并不那么明顯。性能方面，CMOS功率放大器在線性度，輸出功率，效率等方面的性能較差，再加上CMOS工藝固有的缺點:膝點電壓較高、擊穿電壓較低、CMOS工藝基片襯底的電阻率較低。
碳納米管(CNT)由于具有物理尺寸小、電子遷移率高，電流密度大和本征電容低等特點，人們認為是納米電子器件的理想材料。
零禁帶半導體材料石墨烯，因為具有很高的電子遷移速率、納米數量級的物理尺寸、優秀的電性能以及機械性能，必將成為下一代射頻芯片的熱門材料。
射頻PA的線性化技術
射頻功率放大器的非線性失真會使其產生新的頻率分量，如對于二階失真會產生二次諧波和雙音拍頻，對于三階失真會產生三次諧波和多音拍頻。這些新的頻率分量如落在通帶內，將會對發射的信號造成直接干擾，如果落在通帶外將會干擾其他頻道的信號。為此要對射頻功率放大器的進行線性化處理，這樣可以較好地解決信號的頻譜再生問題。
射頻功放基本線性化技術的原理與方法不外乎是以輸入RF信號包絡的振幅和相位作為參考，與輸出信號比較，進而產生適當的校正。目前己經提出并得到廣泛應用的功率放大器線性化技術包括，功率回退，負反饋，前饋，預失真，包絡消除與恢復(EER)，利用非線性元件進行線性放大(LINC) 。較復雜的線性化技術，如前饋，預失真，包絡消除與恢復，使用非線性元件進行線性放大，它們對放大器線性度的改善效果比較好。而實現比較容易的線性化技術，比如功率回退，負反饋，這幾個技術對線性度的改善就比較有限。
2-1、功率回退
這是最常用的方法，即選用功率較大的管子作小功率管使用，實際上是以犧牲直流功耗來提高功放的線性度。
功率回退法就是把功率放大器的輸入功率從1dB壓縮點(放大器有一個線性動態范圍，在這個范圍內，放大器的輸出功率隨輸入功率線性增加。隨著輸入功率的繼續增大，放大器漸漸進入飽和區，功率增益開始下降，通常把增益下降到比線性增益低1dB時的輸出功率值定義為輸出功率的1dB壓縮點，用P1dB表示。)向后回退6-10個分貝，工作在遠小于1dB壓縮點的電平上，使功率放大器遠離飽和區，進入線性工作區，從而改善功率放大器的三階交調系數。一般情況，當基波功率降低1dB時，三階交調失真改善2dB。
功率回退法簡單且易實現，不需要增加任何附加設備，是改善放大器線性度行之有效的方法，缺點是效率大為降低。另外，當功率回退到一定程度，當三階交調制達到-50dBc以下時，繼續回退將不再改善放大器的線性度。因此，在線性度要求很高的場合，完全靠功率回退是不夠的。
2-2、預失真
預失真就是在功率放大器前增加一個非線性電路用以補償功率放大器的非線性失真。
預失真線性化技術，它的優點在于不存在穩定性問題，有更寬的信號頻帶，能夠處理含多載波的信號。預失真技術成本較低，由幾個仔細選取的元件封裝成單一模塊，連在信號源與功放之間，就構成預失真線性功放。手持移動臺中的功放已采用了預失真技術，它僅用少量的元件就降低了互調產物幾dB，但卻是很關鍵的幾dB。
預失真技術分為RF預失真和數字基帶預失真兩種基本類型。RF預失真一般采用模擬電路來實現，具有電路結構簡單、成本低、易于高頻、寬帶應用等優點，缺點是頻譜再生分量改善較少、高階頻譜分量抵消較困難。
數字基帶預失真由于工作頻率低，可以用數字電路實現，適應性強，而且可以通過增加采樣頻率和增大量化階數的辦法來抵消高階互調失真，是一種很有發展前途的方法。這種預失真器由一個矢量增益調節器組成，根據查找表(LUT)的內容來控制輸入信號的幅度和相位，預失真的大小由查找表的輸入來控制。矢量增益調節器一旦被優化，將提供一個與功放相反的非線性特性。理想情況下，這時輸出的互調產物應該與雙音信號通過功放的輸出幅度相等而相位相反，即自適應調節模塊就是要調節查找表的輸入，從而使輸入信號與功放輸出信號的差別最小。注意到輸入信號的包絡也是查找表的一個輸入，反饋路徑來取樣功放的失真輸出，然后經過A/D變換送入自適應調節DSP中，進而來更新查找表。
2-3、前饋
前饋技術起源于"反饋"，應該說它并不是什么新技術，早在二三十年代就由美國貝爾實驗室提出來的。除了校準(反饋)是加于輸出之外，概念上完全是"反饋"。
前饋線性放大器通過耦合器、衰減器、合成器、延時線、功分器等組成兩個環路。射頻信號輸入后，經功分器分成兩路。一路進入主功率放大器，由于其非線性失真，輸出端除了有需要放大的主頻信號外，還有三階交調干擾。從主功放的輸出中耦合一部分信號，通過環路1抵消放大器的主載頻信號，使其只剩下反相的三階交調分量。三階交調分量經輔助放大器放大后，通過環路2抵消主放大器非線性產生的交調分量，從而了改善功放的線性度。
前饋技術既提供了較高校準精度的優點，又沒有不穩定和帶寬受限的缺點。當然，這些優點是用高成本換來的，由于在輸出校準，功率電平較大，校準信號需放大到較高的功率電平，這就需要額外的輔助放大器，而且要求這個輔助放大器本身的失真特性應處在前饋系統的指標之上。
前饋功放的抵消要求是很高的，需獲得幅度、相位和時延的匹配，如果出現功率變化、溫度變化及器件老化等均會造成抵消失靈。為此，在系統中考慮自適應抵消技術，使抵消能夠跟得上內外環境的變化。
射頻功率放大器產業鏈情況
一、5G智能移動終端，射頻PA的大機遇
1. 射頻器件皇冠上的明珠
射頻功率放大器（PA）作為射頻前端發射通路的主要器件，主要是為了將調制振蕩電路所產生的小功率的射頻信號放大，獲得足夠大的射頻輸出功率，才能饋送到天線上輻射出去，通常用于實現發射通道的射頻信號放大。
手機射頻前端：一旦連上移動網絡，任何一臺智能手機都能輕松刷朋友圈、看高清視頻、下載圖片、在線購物，這完全是射頻前端進化的功勞，手機每一個網絡制式（2G/3G/4G/WiFi/GPS），都需要自己的射頻前端模塊，充當手機與外界通話的橋梁—手機功能越多，它的價值越大。
射頻前端模塊是移動終端通信系統的核心組件，對它的理解可以從兩方面考慮：一是必要性，它是連接通信收發器（transceiver）和天線的必經之路；二是重要性，它的性能直接決定了移動終端可以支持的通信模式，以及接收信號強度、通話穩定性、發射功率等重要性能指標，直接影響終端用戶體驗。
射頻前端芯片包括功率放大器（PA），天線開關（Switch）、濾波器（Filter）、雙工器（Duplexer 和 Diplexer）和低噪聲放大器（LNA）等，在多模／多頻終端中發揮著核心作用。
射頻前端產業中最大的市場為濾波器，將從 2017 年的 80 億美元增長到2023 年 225 億美元，復合年增長率高達 19%。該增長主要來自于 BAW 濾波器的滲透率顯著增加，典型應用如 5G NR 定義的超高頻段和 WiFi 分集天線共享。
功率放大器市場增長相對穩健，復合年增長率為 7%，將從 2017 年的 50億美元增長到 2023 年的 70 億美元。高端 LTE 功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補 2G/3G 市場的萎縮。
2. 5G推動手機射頻 PA 量價齊升
射頻前端與智能終端一同進化，4G 時代，智能手機一般采取 1 發射 2 接收架構。由于 5G 新增了頻段（n41 2.6GHz，n77 3.5GHz 和 n79 4.8GHz），因此 5G 手機的射頻前端將有新的變化，同時考慮到 5G 手機將繼續兼容4G、3G 、2G 標準，因此 5G 手機射頻前端將異常復雜。
預測 5G 時代，智能手機將采用 2 發射 4 接收方案。
無論是在基站端還是設備終端，5G 給供應商帶來的挑戰都首先體現在射頻方面，因為這是設備“上”網的關鍵出入口，即將到來的 5G 手機將會面臨多方面的挑戰：
更多頻段的支持：因為從大家熟悉的 b41 變成 n41、n77 和 n78，這就需要對更多頻段的支持；
不同的調制方向：因為 5G 專注于高速連接，所以在調制方面會有新的變化，對功耗方面也有更多的要求。比如在 4G 時代，大家比較關注 ACPR。但到了 5G 時代，則更需要專注于 EVM（一般小于 1.5%）；
信號路由的選擇：選擇 4G anchor+5G 數據連接，還是直接走 5G，這會帶來不同的挑戰。
開關速度的變化：這方面雖然沒有太多的變化，但 SRS 也會帶來新的挑戰。
其他如 n77/n78/n79 等新頻段的引入，也會對射頻前端形態產生影響，推動前端模組改變，滿足新頻段和新調諧方式等的要求。
5G 手機功率放大器（PA）用量翻倍增長：PA 是一部手機最關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統中除基帶外最重要的部分。手機里面 PA 的數量隨著 2G、3G、4G、5G 逐漸增加。以 PA 模組為例，4G 多模多頻手機所需的 PA 芯片為5-7 顆，預測 5G 手機內的 PA 芯片將達到 16 顆之多。
5G 手機功率放大器（PA）單機價值量有望達到 7.5 美元：同時，PA 的單價也有顯著提高，2G 手機用 PA 平均單價為 0.3 美金，3G 手機用 PA 上升到 1.25 美金，而全模 4G 手機 PA 的消耗則高達 3.25 美金，預計 5G 手機PA 價值量達到 7.5 美元以上。
3. GaAs 射頻器件仍將主導手機市場
5G 時代，GaAs 材料適用于移動終端。GaAs 材料的電子遷移率是 Si 的 6倍，具有直接帶隙，故其器件相對 Si 器件具有高頻、高速的性能，被公認為是很合適的通信用半導體材料。在手機無線通信應用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用 GaAs 材料。在 GSM 通信中，國內的銳迪科和漢天下等芯片設計企業曾憑借 RF CMOS 制程的高集成度和低成本的優勢，打破了采用國際龍頭廠商采用傳統的 GaAs 制程完全主導射頻功放的格局。
但是到了 4G 時代，由于 Si 材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點，RF CMOS 已經不能滿足要求，手機射頻功放重新回到 GaAs 制程完全主導的時代。與射頻功放器件依賴于 GaAs 材料不同，90%的射頻開關已經從傳統的 GaAs 工藝轉向了 SOI（Silicon on insulator）工藝，射頻收發機大多數也已采用 RF CMOS 制程，從而滿足不斷提高的集成度需求。
5G 時代，GaN 材料適用于基站端。在宏基站應用中，GaN 材料憑借高頻、高輸出功率的優勢，正在逐漸取代 Si LDMOS；在微基站中，未來一段時間內仍然以 GaAs PA 件為主，因其目前具備經市場驗證的可靠性和高性價比的優勢，但隨著器件成本的降低和技術的提高，GaN PA 有望在微基站應用在分得一杯羹；在移動終端中，因高成本和高供電電壓，GaN PA 短期內也無法撼動 GaAs PA 的統治地位。
二、5G基站，PA數倍增長，GaN 大有可為
1. 5G基站，射頻 PA 需求大幅增長
5G 基站 PA數量有望增長16倍。4G 基站采用 4T4R 方案，按照三個扇區，對應的 PA 需求量為 12 個，5G 基站，預計 64T64R 將成為主流方案，對應的 PA 需求量高達 192 個，PA 數量將大幅增長。
5G 基站射頻 PA 有望量價齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導體 LDMOS 技術，不過 LDMOS 技術僅適用于低頻段，在高頻應用領域存在局限性。對于 5G 基站 PA 的一些要求可能包括3~6GHz 和 24GHz~40GHz 的運行頻率，RF 功率在 0.2W~30W 之間，5G 基站 GaN 射頻 PA 將逐漸成為主導技術，而 GaN 價格高于LDMOS 和 GaAs。
GaN 具有優異的高功率密度和高頻特性。提高功率放大器 RF 功率的最簡單的方式就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術極具吸引力。如果我們對比不同半導體工藝技術，就會發現功率通常會如何隨著高工作電壓 IC 技術而提高。
典型的 GaN 射頻器件的加工工藝，主要包括如下環節：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環節。
GaN射頻器件的加工工藝
2. GaN射頻 PA 有望成為 5G基站主流技術
預測未來大部分 6GHz 以下宏網絡單元應用都將采用 GaN 器件，小基站 GaAs 優勢更明顯。就電信市場而言，得益于 5G 網絡應用的日益臨近，將從 2019 年開始為 GaN 器件帶來巨大的市場機遇。相比現有的硅 LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和 GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN 器件能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能。而且，GaN 的寬帶性能也是實現多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaN HEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經成為未來宏基站功率放大器的候選技術。
由于 LDMOS 無法再支持更高的頻率，GaAs 也不再是高功率應用的最優方案，預計未來大部分6GHz 以下宏網絡單元應用都將采用 GaN 器件。5G 網絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比 4G 更差，因此小基站（small cell）將在 5G 網絡建設中扮演很重要的角色。不過，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs 等現有技術仍有其優勢。與此同時，由于更高的頻率降低了每個基站的覆蓋率，因此需要應用更多的晶體管，預計市場出貨量增長速度將加快。
2015-2025年基站主要趨勢
3. 全球 GaN射頻器件產業鏈競爭格局
GaN 微波射頻器件產品推出速度明顯加快。目前微波射頻領域雖然備受關注，但是由于技術水平較高，專利壁壘過大，因此這個領域的公司相比較電力電子領域和光電子領域并不算很多，但多數都具有較強的科研實力和市場運作能力。GaN 微波射頻器件的商業化供應發展迅速。據材料深一度對 Mouser 數據統計分析顯示，截至 2018 年 4 月，共有 4 家廠商推出了150 個品類的 GaN HEMT， 占整個射頻晶體管供應品類的 9.9%，較 1 月增長了 0.6%。
Qorvo 產品工作頻率范圍最大，Skyworks 產品工作頻率較小。Qorvo、CREE、MACOM 73%的產品輸出功率集中在 10W～100W 之間，最大功率達到 1500W（工作頻率在 1.0-1.1GHz， 由 Qorvo 生產），采用的技術主要是 GaN/SiC GaN 路線。此外，部分企業提供 GaN 射頻模組產品，目前有 4家企業對外提供 GaN 射頻放大器的銷售，其中 Qorvo 產品工作頻率范圍最大，最大工作頻率可達到 31GHz。Skyworks 產品工作頻率較小，主要集中在 0.05-1.218GHz 之間。
Qorvo 射頻放大器的產品類別最多。在我國工信部公布的 2 個 5G 工作頻段（3.3-3.6GHz、4.8-5GHz，）內，Qorvo 公司推出的射頻放大器的產品類別最多，最高功率分別高達 100W 和 80W（1 月份 Qorvo 在 4.8-5GHz 的產品最高功率為 60W），ADI 在 4.8-5GHz 的產品最高功率提高到 50W（之前產品的最高功率不到 40W）， 其他產品的功率大部分在 50W 以下。
國外GaN射頻器件產業鏈重點企業
