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    真空鍍膜過程是在真空環境中氣態原子或分子像基板輸運沉積的過程，它通常包含沉積物的生成和沉積后的凝聚生長這兩步。

    物理氣相沉積（PVD）法，是指沉積物主要由固體材料汽化形成，如蒸發源中材料的加熱蒸發，離子對靶材的轟擊濺射，或者雖然利用蒸發源或濺射源，在其前往基板的途中還通過氣體放電使部分原子得以離化，這就構成了所謂的蒸發鍍、濺射鍍和離子鍍。

    化學氣相沉積（CVD）法，是指沉積物主要通過氣體化學反應形成。屬于真空鍍膜范疇的有低壓CVD、等離子體CVD和光CVD等。反應氣體的分解、激發和化學反應，是借助于高溫、放電等離子體和光輻照實現的。

    現在有些稱PVD法的已不單純是物理過程，有些也引入反應氣體，使得沉積物在輸運過程中伴隨著有化學反應。

    沉積物在基板上的凝聚生長，不是簡單的隨機堆積，不然就只能形成非晶態膜了，事實上薄膜結構有非晶態的，也有多晶和單晶的。這是因為沉積的原子會遷移，而原子遷移的強弱和狀態取決于原子之間以及同基板之間的相互作用，還有基板溫度、氣體壓力、離子轟擊和其它一些因素的影響。特別是當成膜過程中有離子參與時，原子遷移和相互作用將大大增強，從而引起膜的組織結構、相成分、附著力、內應力、成膜溫度和其它性能的變化。

    （慧樸科技，huiputech）