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理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

發(fā)布日期:2022-10-09 點(diǎn)擊率:83


理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

來源:電子發(fā)燒友網(wǎng)  作者:春波綠影2013年07月17日 11:12

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[導(dǎo)讀] 凌力爾特公司的一個(gè)產(chǎn)品系列用外部 N 溝道 MOSFET 作為傳遞組件,最大限度地降低了功耗,從而在這些 MOSFET 接通時(shí),最大限度地減小了從電源到負(fù)載的壓降,這個(gè)產(chǎn)品系列包括 LTC4225、LTC4227 和 LTC4228。當(dāng)輸入電源電壓降至低于輸出共模電源電壓時(shí),關(guān)斷適當(dāng)?shù)?MOSFET,從而使功能和性能上與理想二極管匹配。

關(guān)鍵詞:熱插拔控制器凌力爾特二極管電源


  用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng),例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。問題是,肖特基二極管由于正向壓降而消耗功率,所產(chǎn)生的熱量必須用 PCB 上專門的銅箔區(qū)散出,或者通過由螺栓固定到二極管上的散熱器散出,這兩種散熱方式都需要占用很大的空間。

  凌力爾特公司的一個(gè)產(chǎn)品系列用外部 N 溝道 MOSFET 作為傳遞組件,最大限度地降低了功耗,從而在這些 MOSFET 接通時(shí),最大限度地減小了從電源到負(fù)載的壓降,這個(gè)產(chǎn)品系列包括 LTC4225、LTC4227 和 LTC4228。當(dāng)輸入電源電壓降至低于輸出共模電源電壓時(shí),關(guān)斷適當(dāng)?shù)?MOSFET,從而使功能和性能上與理想二極管匹配。

  如圖 1 所示,通過增加一個(gè)電流檢測電阻器,并配置兩個(gè)具備單獨(dú)柵極控制的背對背 MOSFET,LTC4225 憑借浪涌電流限制和過流保護(hù)提高了理想二極管的性能。這就允許電路板安全地插入或從帶電背板拔出,而不會(huì)損壞連接器。LTC4227 可以這樣使用:在并聯(lián)連接的理想二極管 MOSFET 之后,增加電流檢測電阻器和熱插拔 (Hot Swap) MOSFET,以節(jié)省一個(gè) MOSFET。通過在理想二極管和熱插拔 MOSFET 之間配置檢測電阻器,LTC4228 比 LTC4225 有了改進(jìn),LTC4228 能更快地從輸入電壓欠壓中恢復(fù),以保持輸出電壓不變。

  圖 1:采用檢測電阻器和外部 N 溝道 MOSFET 的 LTC4225、LTC4227 和 LTC4228 的不同配置

  * ADDITIonAL DETAILS OMITTED FOR CLARITY:* 為清晰起見,略去了一些細(xì)節(jié)

  LTC4225-1、LTC4227-1 和 LTC4228-1 具備鎖斷電路斷路器,而 LTC4225-2、LTC4227-2 和 LTC4228-2 提供故障后自動(dòng)重試功能。LTC4225、LTC4227 和 LTC4228 的兩種版本均分別采用 24 引腳、20 引腳和 28 引腳 4mm x 5mm QFN 以及 SSOP 封裝。

  理想二極管控制

  LTC4225 和 LTC4228 用一個(gè)內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)放大器監(jiān)視 IN 和 OUT 引腳 (就 LTC4227 而言是 IN 和 SENSE+ 引腳) 之間的電壓,起到了理想二極管的作用,該放大器驅(qū)動(dòng) DGATE 引腳。當(dāng)這個(gè)放大器檢測到大的正向壓降 (圖 2) 時(shí),就快速拉高 DGATE 引腳,以接通 MOSFET,實(shí)現(xiàn)理想二極管控制。

  圖 2:當(dāng) IN 電源接通時(shí),拉高理想二極管控制器 CPO 和 DGATE 引腳

  CPO 和 IN 引腳之間連接的外部電容器提供理想二極管 MOSFET 快速接通所需的電荷。在器件加電時(shí),內(nèi)部充電泵給這個(gè)電容器充電。DGATE 引腳提供來自 CPO 引腳的電流,并將電流吸收到 IN 和 GND 引腳中。柵極驅(qū)動(dòng)放大器控制 DGATE 引腳,以跟隨檢測電阻器和兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降,直至 25mV。

  如果負(fù)載電流引起超過 25mV 的壓降,那么柵極電壓就上升,以加強(qiáng)用于實(shí)現(xiàn)理想二極管控制的 MOSFET。在 MOSFET 導(dǎo)通時(shí),如果輸入電源短路,那么會(huì)有很大的反向電流開始從負(fù)載流向輸入。故障一出現(xiàn),柵極驅(qū)動(dòng)放大器就會(huì)檢測到故障情況,并拉低 DGATE, 以斷開理想二極管 MOSFET。

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本文導(dǎo)航

  • 第 1 頁:理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

  • 第 2 頁:熱插拔控制

  • 第 3 頁:電源優(yōu)先級

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