作者：John Sauber 與 Bradley Smith，Allegro MicroSystems, LLC
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介紹
霍爾效應(yīng)是 E. H. Hall 于 1879 發(fā)現(xiàn)的，是所有霍爾效應(yīng)器件的基礎(chǔ)。將這一物理效應(yīng)與現(xiàn)代的集成電路 (IC) 技術(shù)結(jié)合在一起就可以設(shè)計出很多有用的磁性感測產(chǎn)品。在適當(dāng)?shù)仄玫那闆r下，霍爾元件可以產(chǎn)生一個與磁場成正比的輸出電壓。這個小電壓將通過高品質(zhì)放大器進(jìn)行處理，從而產(chǎn)生一個與外加通量密度成正比的模擬信號。在 Allegro? 霍爾效應(yīng)器件中，該信號經(jīng)過調(diào)整處理和優(yōu)化后適用于各種磁性輸入，以便產(chǎn)生適當(dāng)?shù)碾娏敵觥?/p>
霍爾效應(yīng)元件通過修正輸出電壓與磁通密度曲線對應(yīng)力作出回應(yīng)。為此，設(shè)計人員（從芯片設(shè)計到最終客戶）必須了解來自熱源或機(jī)械源的環(huán)境應(yīng)力會對霍爾效應(yīng)元件的輸出產(chǎn)生影響。芯片設(shè)計人員要預(yù)先考慮芯片的最終用途、設(shè)計補(bǔ)償電路并以最大程度地降低預(yù)期環(huán)境影響的方式將多個霍爾元件連接到一起。當(dāng)適當(dāng)?shù)?IC 設(shè)計與適當(dāng)?shù)姆庋b設(shè)計相匹配時，環(huán)境影響可以降至最低。
雖然穩(wěn)健的設(shè)計技術(shù)可以極大地降低封裝應(yīng)力可能會對霍爾效應(yīng) IC 的運(yùn)行造成的影響，但還有一點(diǎn)比較重要的是，組件制造商應(yīng)采取預(yù)防措施以避免出現(xiàn)外部應(yīng)力，例如因包覆成型、膠粘、焊接、引線折彎或成形、引線剪切或修齊、或夾持引起的應(yīng)力。
除了要避免會影響電氣參數(shù)的應(yīng)力之外，還要避免可能會造成任何可靠性風(fēng)險的應(yīng)力。為了避免這類問題的出現(xiàn)，本應(yīng)用說明提供了進(jìn)行組件設(shè)計的相關(guān)指引。
本文概述了適用于霍爾效應(yīng)器件安裝的大多數(shù)裝配方法，但并未闡述傳統(tǒng)電路板的錫焊方法。如需了解關(guān)于這一主題的信息，請參考 Allegro 網(wǎng)站上的“ Allegro 產(chǎn)品的錫焊方法（SMD 與穿孔）”板塊。
對應(yīng)力較為敏感的位置
封裝上的好幾個位置都極易受到應(yīng)力的影響，如圖 1 所示。無論使用何種方法來構(gòu)建組件，都必須最大程度地降低這些地方的應(yīng)力，這一點(diǎn)非常重要。
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圖 1：對應(yīng)力較為敏感的位置。(A) 對晶片面施加的外力可能會引起晶片破裂和參數(shù)變化。(B) 對線纜施加的外力可能會對楔形或球形結(jié)合點(diǎn)造成損壞。(C) 對引線施加的外力或彎曲力矩可能會導(dǎo)致楔形結(jié)合點(diǎn)損壞和封裝破裂。
故障模式
圖 1 中所示的位置與以下故障模式有關(guān)：
(A) 對晶片面施加的外力可能對導(dǎo)致晶片破裂。晶片可能會立即失效，也可能會產(chǎn)生一個裂紋、造成潛在缺陷。請參閱“設(shè)計驗證測試”部分了解與識別潛在缺陷相關(guān)的信息。對晶片施加的外力還可能會引起電氣參數(shù)變化。如果必須對晶片面施加外力，應(yīng)確保該力均勻地分布在整個上表面上。
(B) 對金絲鍵合線施加的外力可能會對球形結(jié)合點(diǎn)（位于線纜的晶片端）造成損壞或?qū)е滦ㄐ谓Y(jié)合點(diǎn)（位于線纜的引線框端）破裂。這些線纜非常小，橫截面積大約為人的頭發(fā)的九分之一（見圖 2）。楔形結(jié)合點(diǎn)的“頸部”更小，橫截面積大約為線纜的四分之一。模塑料的任何變形或移動（相對于線纜而言）都可能會造成損害，如圖 2（右面板）所示。此外，它還可能會使部件立即發(fā)生故障或造成潛在缺陷。
(C) 對引線施加的外力或彎曲力矩可能會對楔形結(jié)合點(diǎn)造成損壞（很可能會造成一個潛在缺陷）或?qū)е路庋b破裂。
圖 2：（左邊）金絲鍵合線 (?0.025 mm) 的橫截面積大約相當(dāng)于人的頭發(fā) (?0.076 mm) 的九分之一，這說明該鍵合線非常脆弱。（右邊）楔形結(jié)合點(diǎn)“頸部”的厚度大約相當(dāng)于鍵合線的四分之一，因此，該結(jié)合點(diǎn)很可能會成為故障點(diǎn)。
在封裝內(nèi)部，僅有一小部分引線嵌入了模塑料中。在采用 K 型封裝的情況下（如圖 3 所示），僅有 0.8 mm 的引線（長度為 15.5 mm）位于模塑料內(nèi)部。由此產(chǎn)生的杠桿臂以十九倍的系數(shù)放大外力，因此，即便是很小的外力也可能會對楔形結(jié)合點(diǎn)造成損壞。正因為如此，在引線成形期間務(wù)必要遵循引線夾持指引，在執(zhí)行其他處理步驟時也要避免對引線施加外力。
圖 3：在執(zhí)行任何引線成形操作之前都必須先夾緊引線。在杠桿作用的影響下，即使是向引線的端部施加一個小負(fù)載，其效果也會成倍增加（在這個封裝中將呈 19 倍增加），在楔形結(jié)合點(diǎn)處產(chǎn)生一個較大的負(fù)載。
引線成形加工
在客戶設(shè)施內(nèi)執(zhí)行引線成形操作通常是使用霍爾效應(yīng)器件之前必做的一項準(zhǔn)備工作。對于大多數(shù) Allegro 器件而言，下一節(jié)“標(biāo)準(zhǔn)成形程序”中所述的一些簡單的預(yù)防措施可以確保引線成形操作不會為引線、環(huán)氧樹脂外殼或內(nèi)部 IC 帶來損傷應(yīng)力。雖然應(yīng)該始終采取這些預(yù)防措施，但就某些采用強(qiáng)化引線支撐的 Allegro 齒輪齒傳感器 IC (ATS) 封裝而言，可能存在一些例外情況。這些例外情況將在下文的“ATS 封裝注意事項”小節(jié)中進(jìn)行描述。
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標(biāo)準(zhǔn)成形程序
一些簡單的預(yù)防措施可以確保引線成形操作不會為引線、環(huán)氧樹脂外殼或內(nèi)部 IC 帶來損傷應(yīng)力。
圖 4：引線成形操作的設(shè)置。
引線成形機(jī)應(yīng)充分夾緊引線（頂部和底部），以確保在成形過程中不會產(chǎn)生試圖將引線拉出環(huán)氧樹脂封裝外殼的牽引力。最好是在引線成形期間對封裝主體進(jìn)行物理隔離，以確保沒有任何外力可以轉(zhuǎn)移到該封裝主體上。
所有折彎工作都必須在平砧上進(jìn)行且彎曲半徑至少為引線厚度的一半。
在彎曲區(qū)，不得通過擠壓成形機(jī)與鐵砧之間的引線使引線變形。必須通過過度彎曲（而非變形）方法來消除回彈。
如果使用了滾壓成形工具而非推桿，那么會有少量的應(yīng)力轉(zhuǎn)移到封裝上。應(yīng)優(yōu)先選擇使用滾壓成形方法。
在引線成形操作完成后，可能會在引線表面留下加工痕跡。只要這些痕跡不會穿透鍍層、露出引線框基底金屬，那就可以接受。
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ATS 封裝注意事項
某些 Allegro 齒輪齒傳感器 IC (ATS) 封裝的設(shè)計可以將霍爾傳感器 IC 與極片或反向偏壓稀土球團(tuán)礦等元件結(jié)合在一起、構(gòu)成一個優(yōu)化器件。
對于 SA 和 SB 封裝的引線成形，Allegro 建議操作人員遵循“標(biāo)準(zhǔn)成形程序”小節(jié)提供的所有建議。
SE、SG、SH 和 SJ 封裝具有一個模制引線棒（如圖 6 所示），它可以讓引線在運(yùn)輸和處理期間保持在同一平面和適當(dāng)?shù)奈恢蒙稀Ｔ趫?zhí)行引線成形操作時確保連上了模制引線棒。在所有引線成形工作完成之前，切勿移動該棒。這可以防止引線分散開并且可以優(yōu)化引線的平面度和間隔間距。
圖 6：用于約束某些封裝上的引線以便于進(jìn)行處理的模制引線棒。
夾持充分性檢驗標(biāo)準(zhǔn)
如前幾小節(jié)所述，必須充分夾緊引線以防止在成形過程中發(fā)生引線拉扯的情況。檢查鍍層上的“裝配標(biāo)記”，看是否已充分夾緊。
引線頂端的鍍層上應(yīng)具有均勻的夾痕。這些痕跡應(yīng)該：
表明每條引線的大部分寬度上的夾持情況都保持一致，
? 表明所有引線的夾持形狀和深度相同。
引線的底部也應(yīng)該有均勻的夾痕。此外，還有一項附加標(biāo)準(zhǔn)：應(yīng)該磨平引線底部的沖模毛邊（壓膜制品）。如果未磨平毛邊，夾持力就會不足。
夾持力也不能太大，否則就會改變基底金屬的橫截面形狀或者對模塑料造成可見損傷。
高溫處理注意事項
Allegro 封裝主體所用的熱固性模塑料具有一個玻璃轉(zhuǎn)化溫度 Tg，范圍一般在 140°C 至 160°C 之間。在模塑料的溫度超過 Tg 水平時，其強(qiáng)度就會大打折扣。正因為如此，在任何流程的溫度超過 Tg 時，都必須注意不要向圖 1 所示的任何位置施加負(fù)載。
除了在溫度超過 Tg 時強(qiáng)度會降低以外，模塑料還會受到粘塑性（蠕變）的影響，即，將會隨著時間的流逝逐漸變形。由于隨后的高溫處理流程會引起引線移動，還會對楔形結(jié)合點(diǎn)造成損壞，所以必須注意防止引線變形以至于“像彈簧一樣”。
錫焊與焊接的一般注意事項
如果一個流程要求對成形引線進(jìn)行錫焊或焊接，必須牢記以下三個原則：
不要太短 —— 如果可能的話，最好避免使用太短的引線。比較長的引線更容易彎曲且在此過程中不會產(chǎn)生比較大的力。這樣不僅可以允許存在一定的對準(zhǔn)和成形偏差，還可降低由于與引線框（引線將被錫焊至該引線框上）之間的膨脹不匹配而產(chǎn)生的應(yīng)力。
不要太熱 —— 如上所述，模塑料的強(qiáng)度在高溫下會大幅下降。錫焊與焊接操作應(yīng)在溫度最低時在最短的時間內(nèi)完成。使用一根比較長的引線還可以最大程度地減少到達(dá)器件外殼的熱量。
不要“像彈簧一樣” —— 雖然允許存在一定的成形與對準(zhǔn)偏差，這意味著引線在焊接或錫焊過程中通常需要略有變形，但變形幅度越小越好。如果必須對一條正在使用的引線進(jìn)行大幅度彎曲，則該引線中應(yīng)該存在彈簧儲能。隨后的任何高溫處理操作（例如包覆成型）或長時間暴露在高溫工作環(huán)境下都可能會導(dǎo)致引線在模塑料內(nèi)移動，從而造成楔形結(jié)合點(diǎn)故障。
如果擔(dān)心既定工藝或設(shè)計可能會對引線帶來高應(yīng)力，進(jìn)而可能造成可靠性風(fēng)險，請參考“設(shè)計驗證測試”部分了解如何識別潛在缺陷。
引線的錫焊
除了本應(yīng)用說明中提供的信息以外，還可參考 Allegro 網(wǎng)站上的“Allegro 產(chǎn)品的錫焊方法（SMD 與穿孔）”板塊。其中包括引線精加工指南、焊料、助溶劑、應(yīng)避免的污染物和通用的工藝參數(shù)等。
引線的焊接
如本節(jié)所述，由于器件外殼和鍍層的幾何尺寸較小，在進(jìn)行焊接時應(yīng)特別小心并且要做好規(guī)劃和進(jìn)行流程測試。目前已經(jīng)成功投入使用的焊接方法有兩種：傳統(tǒng)的電阻焊接和一種被稱為“熔錫”的焊接方法。具體選擇使用哪種方法取決于具體應(yīng)用和生產(chǎn)條件。
熔錫與電阻焊接
電阻焊接是指加熱要連接在一起的部件直至基底金屬（銅）變?yōu)樗苄誀顟B(tài)，然后將這些部件鍛造到一起。
熔錫是指蒸發(fā)一薄層鍍錫液，形成超凈的基底金屬表面，然后施加壓力使兩個部件之間產(chǎn)生極強(qiáng)的擴(kuò)散粘結(jié)力。這是首選方法。
許多傳統(tǒng)電阻焊接設(shè)備也適用于熔錫，差別在于后者所使用的電壓和電流更低。
熔錫的優(yōu)勢
對于小型電子器件而言，熔錫可能比電阻焊接更有優(yōu)勢：
在不損壞部件的情況下，很難對銅與銅進(jìn)行電阻焊接。
熔錫的操作速度較快且不需要熔化基底金屬，因此與焊接相比，它引起的變形幅度更小。
熔錫可讓基底金屬與基底金屬之間產(chǎn)生一種擴(kuò)散粘結(jié)力，這種粘結(jié)力通常比通過焊接（對銅與銅進(jìn)行焊接）產(chǎn)生的粘結(jié)力更強(qiáng)。
熔錫指南
降低所使用的電流水平是這種方法的一種優(yōu)勢。與電阻焊接相比，熔錫需要更少的電流。為避免器件過熱，應(yīng)使用最小的電流來產(chǎn)生可靠的粘結(jié)力。這樣也有助于降低電力成本。圖 7 和圖 8 為對比示例。
圖 7：焊接期間余熱造成的損壞，包括基底金屬變形和鍍錫液流動。焊接時的電流為 1700 A、電壓為 1.0 V，用時 11 ms。
圖 8：在較低的電流水平（電流為 1100 A、電壓為 0.8 V，用時 10 ms）條件下焊接的引線。所造成的損害微乎其微，接合點(diǎn)的拉引強(qiáng)度基本上與圖 7 中過熱引線的強(qiáng)度相同。
應(yīng)避免使用較短的引線，這是因為他們可能會引起以下問題：
焊接可以讓引線變平整，如果引線非常短，則平整區(qū)域可能會損壞模塑料。另外，在接近封裝外殼的地方平整引線時，引線會發(fā)生橫向移動，從而可能會對楔形結(jié)合點(diǎn)造成損壞或致使引線之間短路（見圖 9）。
焊接作業(yè)會產(chǎn)生高溫，如果引線太短，產(chǎn)生的高溫可能會對封裝主體造成損壞。
圖 9：在焊接較短的引線時因引線平整造成的損壞。
在理想的情況下，應(yīng)使用約 100% 的鍍錫液進(jìn)行熔錫。鍍錫液中所包含的鉛 (Pb) 不會影響粘結(jié)質(zhì)量，但 Pb 的處理卻會造成一個潛在的環(huán)境健康風(fēng)險。在熔錫期間，兩個部件接觸處的鍍液會發(fā)生汽化。對于涉及到 Allegro 部件的典型焊接而言，這個過程會釋放至少 2 μg 的鉛 (Pb)。必須以安全環(huán)保的方式收集并處置鉛 (Pb) 蒸汽。
許多種銅合金都可以順利地進(jìn)行焊接。應(yīng)由焊接設(shè)備的供應(yīng)商決定最佳選擇。
一般來說，應(yīng)避免使用可伐合金或 42 合金等含鐵的合金，這是因為他們很難用鍍錫液焊接到銅制引線框上。
激光焊接
通過使用激光，可以將鍍錫銅引線焊接到銅制引線框上。相關(guān)注意事項與熔錫類似；因此，應(yīng)避免耗費(fèi)過多功率，這一點(diǎn)非常重要。可以使用“干式”焊接，但是也可以使用焊錫膏，而且焊錫膏可以提供更佳的焊錫圓角，產(chǎn)生更強(qiáng)的粘結(jié)力。由于一個激光光斑僅能聚焦于一個非常小的區(qū)域，所以必須注意確保粘合表面積足以產(chǎn)生很強(qiáng)的粘結(jié)力。
Allegro 采取了一些措施來為熔錫焊接提供鍍錫鐵皮。根據(jù)典型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，鍍層平均厚度應(yīng)為 14 μm，但是 Allegro 選用了 11.5 μm 的標(biāo)準(zhǔn)平均厚度。厚度的縮減有助于更好地控制電鍍液參數(shù)、實(shí)現(xiàn)卓越的表面處理效果和優(yōu)良的焊接性能。它對熔錫而言也比較有利，這是因為在這種情況下只有很少的錫需要熔化，方便控制飛濺。
將器件與組件粘合在一起
大多數(shù)膠粘、涂覆、灌封或包封方法都會對封裝增加應(yīng)力，從而可能導(dǎo)致電氣參數(shù)變化和部件分散。
膠粘
將一個器件膠粘到一個制成組件的型腔中是一種常見的霍爾效應(yīng)接口裝配方法。基本原則如下：
盡可能地使粘合劑或模塑環(huán)氧樹脂的膨脹特性與膨脹率為 12 至 30 ppm/°C 的元件用環(huán)氧樹脂相匹配。大多數(shù)高填充（非導(dǎo)電性）環(huán)氧樹脂都屬于這一范疇，通常都是比較好的選擇。
表面貼裝元件裝配用環(huán)氧樹脂也可以用于粘合模塑元件。這些材料不符合霍爾器件的特性并且與填充環(huán)氧樹脂也不匹配，但是它們的優(yōu)勢是在處理非常微小的圓點(diǎn)尺寸方面非常有效，而且還能快速固化。
氰基丙烯酸鹽粘合劑（ “強(qiáng)力膠” ）對于膠粘霍爾效應(yīng)器件而言并不是一個好的選擇，原因在于它在固化時具有很高的收縮率。如果僅在器件的一面使用了粘合劑，那么這種收縮會使器件彎曲并造成危險的應(yīng)力。這些粘合劑還能進(jìn)行生物降解并能在多種普通環(huán)境中消散。
共形涂覆
共形涂覆通常被用于提供環(huán)境保護(hù)與一定程度的機(jī)械保護(hù)。在阻隔污染物方面，關(guān)鍵屬性包括水蒸氣穿透率和氧氣滲透性。基于這些標(biāo)準(zhǔn)，最佳選擇為（按順序）：
丙烯酸氨基甲酸酯
環(huán)氧樹脂
硅氧樹脂
塑料包封（直接包覆成型）
使用熱固性或熱塑性材料包覆成型的完全包封式霍爾效應(yīng)器件可能會引起參數(shù)變化。應(yīng)該對采用這種方式包封的霍爾效應(yīng)器件進(jìn)行重新測試以檢測其在整個應(yīng)用溫度范圍內(nèi)的性能。熱塑性塑料成型所需的溫度通常高于引線鍍層的回流溫度，因此模具設(shè)計必須能確保鍍層不會被熔化（錫的熔點(diǎn)是 232°C）。如果鍍層在模制過程中被熔化，它可能會朝與器件主體相反的方向流動并導(dǎo)致相鄰引線之間電氣短路。
熱塑性模具內(nèi)的型腔壓力非常高。一般來說，純粹的靜水壓力只要完全處于鑄模型腔內(nèi)就不會損壞器件。模具設(shè)計必須能確保在模制過程中不會對霍爾器件產(chǎn)生彎曲力。彎曲應(yīng)力可能會改變器件參數(shù)，如果足夠高，還可能會使環(huán)氧樹脂封裝內(nèi)的晶片破裂。
在霍爾器件構(gòu)成了注塑模具型腔中的一個塞柱并由引線支承的情況下，必須對器件的端部加以支撐，這一點(diǎn)非常重要。如果器件與模具型腔的端部之間存在空隙，那么該器件可以用作一個活塞推進(jìn)模具型腔中，以拉引和拉伸引線。
完全封閉一個模塑霍爾效應(yīng)器件的最安全的方式是設(shè)計一個能與器件進(jìn)行滑配連接的外殼（頂蓋或套管）。然后，可以對器件進(jìn)行包覆成型、灌封處理或?qū)⑵淠z粘到位。需要牢記以下幾個注意事項：
避免頂蓋或套管與引線之間存在任何干擾。向引線施加的任何外力都可能會造成彈簧加載，從而可能在包覆成型器件對楔形結(jié)合點(diǎn)造成損壞或者延長高溫作業(yè)時間。
壓裝應(yīng)用通常都非常緊密，而且需要一個很大的力以便進(jìn)行插入。這種力可引起線纜、線纜結(jié)合點(diǎn)或硅 IC 故障，因此應(yīng)減小。
在插入期間，有必要適當(dāng)?shù)負(fù)纬种骷宰畲蟪潭鹊亟档妥饔迷诜庋b上的力。在插入時還不得夾持或壓緊封裝的平面（標(biāo)記面），可以優(yōu)先考慮使用封裝的側(cè)面和背面。
包膠模具的位置也是一個值得關(guān)注的問題：
盡量減小晶片面上包膠模具的厚度，這是最大程度地降低作用在晶片上的應(yīng)力以及發(fā)生晶片破裂和參數(shù)變化風(fēng)險的一種有效方法。
避免將包膠模具的澆口直接安置在晶片上，因為在模制過程中產(chǎn)生的熱沖擊可能會增加晶片破裂的風(fēng)險。
如果可能的話，模具的分型線應(yīng)避免出現(xiàn)在晶片面上。由于存在半模錯位，這有時可能會在包膠模具中創(chuàng)造一個“梯階”，它可以作為一個晶片上的一個應(yīng)力集中點(diǎn)并且（可能）會增加晶片破裂的風(fēng)險。
避免將頂桿放置在晶片面上，因為這很可能會導(dǎo)致晶片破裂。
可以使用熱固性材料或熱塑性材料。按照以下屬性來選擇材料可以最大程度地減少應(yīng)力以及參數(shù)變化或晶片損壞的風(fēng)險：
低熱膨脹系數(shù) (CTE)
低彈性模量
低成型溫度
大多數(shù)包膠模具材料都不具備密封性，不能完全阻止污染物滲入器件。在汽車應(yīng)用領(lǐng)域（在這種應(yīng)用中，組件可能會暴露在惡劣環(huán)境中并與自動變速箱油 (ATF)、鹽水和制動液等物質(zhì)直接接觸），要特別注意這一問題。在進(jìn)行包覆成型處理之前先進(jìn)行共形涂覆處理可以防止水分侵入、大幅降低風(fēng)險，但不能完全消除這些風(fēng)險。
灌封
灌封是最好的裝配方法之一，它不會產(chǎn)生應(yīng)力。選擇灌封混合物的標(biāo)準(zhǔn)是該材料應(yīng)具備與上述包覆成型材料相同的屬性，即：低 CTE、低模量和低固化溫度。
采用諸如硅橡膠或聚氨酯橡膠等彈性材料進(jìn)行灌封可以減少應(yīng)力。但是，如果彈性材料被密閉在外殼內(nèi)，由于熱膨脹系數(shù)不同，仍有可能會產(chǎn)生應(yīng)力。彈性材料通常具有較高的膨脹率。因此，要么將灌封容器的一端打開，要么至少在內(nèi)部留一些空隙以滿足膨脹需求。
采用彈性泡沫體進(jìn)行灌封可以有效地控制熱膨脹造成的應(yīng)力和密閉元件。如果所用的泡沫體為開孔結(jié)構(gòu)，則需要使用密封劑來防止水分填充泡沫體。
超聲波焊接
在接近霍爾效應(yīng)器件的地方對塑料進(jìn)行超聲波焊接時，必須特別小心，避免引線中的銅基材料發(fā)生加工硬化和內(nèi)部引線發(fā)生破損。應(yīng)避免封裝或引線與超聲波焊接“頭”直接接觸。
另外，如前所述，在執(zhí)行錫焊或焊接操作時不要折彎引線以免它們“像彈簧一樣”。如果引線中儲存有彎曲或拉張應(yīng)力，在施以超聲能量后，可能會很容易對引線或封裝內(nèi)部的楔形結(jié)合點(diǎn)造成損壞。
注：無論使用了哪種裝配方法，都必須進(jìn)行實(shí)證檢驗來評估在整個工作溫度范圍內(nèi)、最終組件中因應(yīng)力誘發(fā)的參數(shù)變化所造成的影響，以確保這些參數(shù)保持在允許的限值內(nèi)。
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設(shè)計驗證測試
在應(yīng)用開發(fā)的研究與設(shè)計階段，客戶應(yīng)嚴(yán)格按照本 應(yīng)用說明與 www.allegromicro.com 網(wǎng)站上的所有其他說明中所述的注意事項審核最初預(yù)期采用的方法。
這些注意事項大都與可能會造成潛在缺陷（如晶片破裂或鍵合線受損）的機(jī)械或熱力條件相關(guān)。如果存在造成潛在缺陷的可能性，Allegro 建議采取以下測試計劃，該計劃經(jīng)常能夠?qū)撛谌毕葑兂捎彩А榱吮苊獬尚尾僮鳟a(chǎn)生的影響，建議在未進(jìn)行最終包覆成型、灌封或包封處理的情況下對組件進(jìn)行測試。
檢查裝配線以確定所有可能導(dǎo)致成形不良或引線排列不整齊的步驟。這包括：
引線成形
處理
引線剪切或修齊
在錫焊或焊接之前執(zhí)行的插入組件操作
在錫焊或焊接之前執(zhí)行的夾持操作
錫焊或焊接操作本身
應(yīng)用保護(hù)蓋或套管
如果這些步驟會導(dǎo)致引線彎曲或排列不整齊，而這些引線又必須在錫焊或焊接之前被夾持到適當(dāng)?shù)奈恢茫óa(chǎn)生一個彈簧彈力），應(yīng)特意留一些存在這些缺陷的部件樣品，然后將其錫焊或焊接至組件上。
另外，還應(yīng)該在尺寸規(guī)格內(nèi)裝配一些對照組部件。
所有部件都要經(jīng)受 500 個熱循環(huán)。建議環(huán)境條件為：–40°C 至 150°C；在空氣中，非液態(tài)；轉(zhuǎn)換越快越好。
在理想的條件下，在循環(huán)過程中，應(yīng)對這些部件進(jìn)行監(jiān)控以查看是否存在故障。如果不可行，也可以在循環(huán)后對部件進(jìn)行測試。
應(yīng)對部件進(jìn)行檢查，看是否存在封裝破裂的跡象或引線與封裝之間是否有間隔（這些間隔可能會成為污染物的滲入通道）。另外，也可以采用 C 模式掃描聲學(xué)顯微鏡 (CSAM) 進(jìn)行測試。
如發(fā)生任何故障，請通知 Allegro 以便其查明根本原因。雖然這種測試可用于識別裝配流程中的潛在故障點(diǎn)，但不能保證可以識別出每個可能的缺陷。客戶有責(zé)任采集足夠的最終產(chǎn)品樣品進(jìn)行適當(dāng)?shù)臏y試，以核實(shí)他們是否符合所需的可靠度目標(biāo)。
應(yīng)用工程
在將一個霍爾效應(yīng)器件裝入組件中時，磁性參數(shù)可能會發(fā)生一些變化。在許多應(yīng)用中，這已經(jīng)成為了一個現(xiàn)場問題，而在這些應(yīng)用情況下，器件參數(shù)和磁鐵強(qiáng)度的選擇都不允許出現(xiàn)微小的參數(shù)變化。應(yīng)該在整個工作溫度范圍內(nèi)對已完成組件進(jìn)行測試以確定最終組件的運(yùn)行參數(shù)是否接近磁性限值。
新設(shè)計不存在磁性參數(shù)問題。Allegro 可提供一種能夠整合到預(yù)期設(shè)計原型中的已校準(zhǔn)線性器件（偽高斯計）。該器件的輸出讀數(shù)可以映射出磁場的具體情況，而所得數(shù)據(jù)可以表明哪種 Allegro 器件類型最適合該磁性回路設(shè)計。
Allegro 的現(xiàn)場工程師可以幫助客戶解決各種與成品組件相關(guān)的問題。您可以在 Allegro 的聯(lián)系方式頁面查找您所在地區(qū)的工程師的聯(lián)系信息。
參考：27703.1-AN
