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場效應晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比場效應晶體管容易制造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。

（1）主要作用

1）場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2）場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3）場效應管可以用作可變電阻。

4）場效應管可以方便地用作恒流源。

5）場效應管可以用作電子開關。

（2）特點

1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；

2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。

3）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

5）場效應管的抗輻射能力強；

6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。