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一系列 NXP BISS(小信號(hào)的重大突破)低飽和電壓 PNP 雙極接線晶體管。 這些設(shè)備具有極低集電極-發(fā)射極飽和電壓和高集電極電流容量,采用緊湊的空間節(jié)省型封裝。 這些晶體管減少損失,可在用于切換和數(shù)字應(yīng)用時(shí)減少熱量的產(chǎn)生并整體提高效率。
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